Cumu funziona i MOSFET?

1, MOSFETintroduzione

FieldEffect Transistor abbreviation (FET)) titre MOSFET. da un picculu numeru di traspurtadore à participà à cunduzzione calori, canusciutu macari comu transistor multi-pole. Appartene à u mecanismu di semi-superconductor di tippu di mastering di tensione. Ci sò a resistenza di output hè alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), bassu rumore, bassu cunsumu d'energia, gamma statica, faciule d'integrazione, micca un secondu fenomenu di rottura, u compitu d'assicuranza di u mare largu è altri vantaghji, hè avà cambiatu. u transistor bipolari è transistor junction putenza di i forti cullaburatori.

2, caratteristiche MOSFET

1, MOSFET hè un dispusitivu di cuntrollu di tensione, hè attraversu u VGS (porta surghjente voltage) ID cuntrollu (drain DC);

2, MOSFEToutput DC polu hè chjucu, cusì a resistenza di output hè grande.

3, hè l'appiecazione di un picculu numeru di trasportatori per cunduce u calore, cusì hà una misura megliu di stabilità;

4, hè custituitu di u percorsu di riduzzione di u coefficient di riduzzione elettrica hè più chjucu cà u triode hè custituitu da u percorsu di riduzzione di u coefficient di riduzzione;

5, MOSFET capacità anti-irradiation;

6, a causa di l 'absenza di una attività difettu di u dispersion oligon causatu da particeddi spargugliati di rumore, cusì u rumore hè bassu.

3 、 principiu di compitu MOSFET

MOSFETprincipiu di funziunamentu in una frase, hè "drain - surgente trà l'ID chì scorri à traversu u canali per a porta è u canali trà u pn junction furmata da u bias inversu di u ID maestru di tensione di porta", per esse precisu, ID scorri à traversu a larghezza. di u percorsu, vale à dì, l'area di u canali trasversali, hè u cambiamentu in u bias inversu di a junction pn, chì pruduce una strata di depletion U mutivu di u cuntrollu di variazione allargata. In u mare non-saturatu di VGS = 0, postu chì l'espansione di a strata di transizione ùn hè micca assai grande, secondu l'aghjuntu di u campu magneticu di VDS trà u drenu-surgente, certi elettroni in u mare fonte sò alluntanati da u drain, vale à dì, ci hè una attività DC ID da u drain à a surgente. A capa moderata allargata da a porta à u drenu face un corpu sanu di u canali formate un tipu di bloccu, ID pienu. Chjamate sta forma un pinch-off. Simbulizendu a strata di transizione à u canali di una obstruczione sana, invece di a putenza DC hè tagliata.

Perchè ùn ci hè micca un muvimentu liberu di l'elettroni è i buchi in a strata di transizione, hà casi proprietà insulating in a forma ideale, è hè difficiule per u currente generale di flussu. Ma tandu u campu ilettricu trà u drain - surghjente, in fattu, i dui strati di transizione cuntattu drenaje è pole gate vicinu à a parti suttana, perchè u campu elettricu drift tira l 'elettroni high-vitezza attraversu lu stratu di transizione. L'intensità di u campu di drift hè quasi custante chì pruduce a pienezza di a scena ID.

U circuitu usa una cumminazione di un MOSFET di canale P rinfurzatu è un MOSFET di canale N rinfurzatu. Quandu l'input hè bassu, u P-channel MOSFET conduce è l'output hè cunnessu à u terminal pusitivu di l'alimentazione. Quandu l'input hè altu, u MOSFET di N-canale conduce è l'output hè cunnessu à a terra di l'alimentazione. In questu circuitu, u MOSFET di u canale P è u MOSFET di u canali N operanu sempre in stati opposti, cù i so inputs è outputs di fasi invertiti.