Introduzione à u principiu di funziunamentu di MOSFET d'alta putenza cumunimenti usati

Oghje nantu à l'alta putenza cumunimenti usatuMOSFETper presentà brevemente u so principiu di travagliu. Vede cumu si rializeghja u so propiu travagliu.

Metal-Oxide-Semiconductor chì hè, Metal-Oxide-Semiconductor, esattamente, stu nome discrive a struttura di u MOSFET in u circuit integratu, vale à dì: in una certa struttura di u dispusitivu semiconductor, accumpagnatu da diossidu di siliciu è metalli, a furmazione di a porta.

A fonte è u drenu di un MOSFET sò oppostibili, tramindui essendu zoni di tipu N formate in un backgate di tipu P. In a maiò parte di i casi, i dui zoni sò listessi, ancu s'è i dui fini di l'ajustamentu ùn affettanu micca u funziunamentu di u dispusitivu, un tali dispusitivu hè cunsideratu simmetricu.

Classificazione: secondu u tipu di materiale di u canali è u tipu di porta insulated di ogni N-canale è P-canale dui; sicondu u modu conduttivu: MOSFET hè divisu in depletion and enhancement, cusì MOSFET hè divisu in depletion and enhancement N-channel; Deplezione di u canali P è rinfurzà di quattru categurie maiò.

MOSFET principiu di funziunamentu - e caratteristiche strutturale diMOSFETcunduce solu una polarità trasportatori (polys) implicati in u cunduttore, hè un transistor unipolari. Meccanisimu di cunduzzione hè u listessu cum'è u MOSFET di bassa putenza, ma a struttura hà una grande diferenza, MOSFET di bassa putenza hè un dispositivu conduttivu horizontale, a maiò parte di a struttura conduttrice verticale MOSFET di putenza, cunnisciuta ancu com'è VMOSFET, chì migliurà assai u MOSFET. Tensione di u dispusitivu è capacità di resistenza di corrente. A funzione principale hè chì ci hè una strata di insulation silica trà u cancellu di metallu è u canali, è per quessa hà una alta resistenza input, u tubu cunduce in dui altu cuncintrazzioni di n zona diffusione à furmà un canali n-tipu cunduttivi. MOSFET di rinfurzà n-canale deve esse appiicatu à a porta cun preghjudiziu in avanti, è solu quandu a tensione di a fonte di a porta hè più grande di a tensione di soglia di u canali conductivu generatu da u MOSFET n-canale. I MOSFET di tipu n-canale di depletion sò MOSFET n-channel in quale i canali di cunduzzione sò generati quandu ùn hè micca applicata a tensione di porta (a tensione di fonte di porta hè zero).

U principiu di funziunamentu di u MOSFET hè di cuntrullà a quantità di "carica indotta" usendu VGS per cambià a cundizione di u canali cunduttivu furmatu da a "carica inducida", è dopu à ottene u scopu di cuntrullà u currenti di drain. In a fabricazione di tubi, à traversu u prucessu di strata insulating in l'emergenza di un gran numaru di ioni pusitivi, cusì in l'altra parte di l'interfaccia pò esse inducendu più carica negativa, sti carichi negativi à l'alta penetrazione di impurità in u N. regione cunnessu à a furmazione di un canale conductive, ancu in u VGS = 0 ci hè ancu una grande ID corrente di fuga. quandu u voltage porta hè cambiatu, a quantità di carica induced in u canali hè ancu cambiatu, è a larghezza di u canali conductive è narrowness di u canali è cambià, è cusì u ID currente di fuga cù a tensione di a porta. L'ID attuale varia cù a tensione di a porta.

Avà l'applicazione diMOSFEThà migliuratu assai l'apprendimentu di e persone, l'efficienza di u travagliu, mentre migliurà a nostra qualità di vita. Avemu una cunniscenza più raziunale di questu per mezu di una comprensione simplice. Ùn serà micca solu esse usatu cum'è strumentu, più capiscenu di e so caratteristiche, u principiu di u travagliu, chì ci darà ancu assai divertenti.