Circuitu anti-reverse MOSFET

Prima, u principiu basi di u circuitu anti-reverse MOSFET

Circuitu anti-reverse MOSFET utilizendu e caratteristiche di commutazione di u MOSFET, cuntrullendu a tensione di a porta (G) per realizà u circuitu on and off. Quandu a polarità di l'alimentazione hè curretta, a tensione di a porta rende u MOSFET in u statu di cunduzzione, u currente pò scorri nurmale; quandu a polarità di l'alimentazione hè invertita, u voltage di a porta ùn pò micca fà a cunduzzione MOSFET, tagliendu cusì u circuitu.

Siconda, a realizazione specifica di u circuitu anti-reverse MOSFET

1. N-channel MOSFET circuit anti-reverse

MOSFET N-canale sò generalmente usati per realizà circuiti anti-reverse. In u circuitu, a fonte (S) di u MOSFET N-channel hè cunnessu à u terminal negativu di a carica, u drenu (D) hè cunnessu à u terminal pusitivu di l'alimentazione, è a porta (G) hè cunnessa à u terminal negativu di l'alimentazione per mezu di una resistenza o cuntrullata da un circuitu di cuntrollu.

Cunnessione in avanti: u terminal pusitivu di l'alimentazione hè cunnessu à D, è u terminal negativu hè cunnessu à S. À questu tempu, a resistenza furnisce a tensione di fonte di porta (VGS) per u MOSFET, è quandu VGS hè più grande di u limitu. voltage (Vth) di u MOSFET, u MOSFET conduce, è u currente scorri da u terminal pusitivu di l'alimentazione à a carica à traversu u MOSFET.

Quandu invertitu: u terminal pusitivu di l'alimentazione hè cunnessu à S, è u terminal negativu hè cunnessu à D. À questu tempu, u MOSFET hè in un statu cutoff è u circuitu hè disconnected per prutege a carica da danni perchè a tensione di a porta. ùn hè micca capaci di furmà un VGS abbastanza per fà a cundutta MOSFET (VGS pò esse menu di 0 o assai menu di Vth).

2. Role of Auxiliary Components

Resistore: Adupratu per furnisce a tensione di fonte di a porta per MOSFET è limità u currente di a porta per prevene i danni da sovracorrente di a porta.

Regulatore di tensione: un cumpunente facultativu utilizatu per impedisce chì a tensione di a fonte di a porta ùn sia troppu alta è rompe u MOSFET.

Diode Parasiticu: Un diodu parassiticu (diode di corpu) esiste in u MOSFET, ma u so effettu hè generalmente ignoratu o evitatu da u disignu di u circuitu per evità u so effettu preghjudiziu in i circuiti anti-reverse.

Terzu, i vantaghji di u circuitu anti-reverse MOSFET

Low loss: MOSFET on-resistance hè chjuca, u voltage on-resistance hè ridutta, cusì a perdita di circuitu hè chjuca.

Alta affidabilità: a funzione anti-reverse pò esse realizata attraversu un disignu di circuitu simplice, è u MOSFET stessu hà un altu gradu di affidabilità.

Flessibilità: diversi mudelli MOSFET è disinni di circuiti ponu esse scelti per risponde à e diverse esigenze di l'applicazione.

Precauzioni

In u disignu di u circuitu anti-reverse MOSFET, avete bisognu di assicurà chì a selezzione di MOSFET per risponde à i requisiti di l'applicazione, cumprese a tensione, u currente, a velocità di commutazione è altri parametri.

Hè necessariu di cunsiderà l'influenza di l'altri cumpunenti in u circuitu, cum'è a capacità parasita, l'induttanza parasita, etc., per evità l'effetti avversi nantu à u rendiment di u circuitu.

In l'applicazioni pratiche, sò ancu necessarii testi è verificazioni adatti per assicurà a stabilità è l'affidabilità di u circuitu.

In riassuntu, u circuitu anti-reverse MOSFET hè un schema di prutezzione simplice, affidabile è di bassa perdita di energia chì hè largamente utilizatu in una varietà di applicazioni chì necessitanu a prevenzione di a polarità inversa.