Selezzione MOSFET | Principii di costruzione MOSFET N-Channel

Metal-Oxide-SemICnductor struttura di u transistor cristal cumunimenti canusciutu comuMOSFET, induve i MOSFET sò divisi in MOSFET di tipu P è MOSFET di tipu N. I circuiti integrati cumposti da MOSFET sò ancu chjamati circuiti integrati MOSFET, è i circuiti integrati MOSFET strettamente ligati cumposti da PMOSFET èNMOSFET sò chjamati circuiti integrati CMOSFET.

Un MOSFET custituitu da un sustrato di tipu p è duie aree n-spreading cù valori di cuncentrazione elevati hè chjamatu n-canale.MOSFET, è u canali cunduttivu causatu da un canali cunduttivi n-tipu hè causatu da i camini n-spreading in i dui camini n-spreading cù valori di cuncintrazioni altu quandu u tubu conduce. I MOSFET addensati n-canale anu u n-canale causatu da un canale conductivu quandu un bias direzionale pusitivu hè risuscitatu quant'è pussibule à a porta è solu quandu l'operazione di a fonte di a porta richiede una tensione operativa chì supera a tensione di soglia. I MOSFET di deplezione di n-canale sò quelli chì ùn sò micca pronti à a tensione di a porta (l'operazione di a fonte di a porta richiede una tensione operativa di zero). Un MOSFET di deplezione di luce n-canale hè un MOSFET n-canale in u quale u canali conduttivu hè causatu quandu a tensione di a porta (a tensione di u funziunamentu di u funziunamentu di a porta hè cero) ùn hè micca preparata.

I circuiti integrati NMOSFET sò circuiti di alimentazione MOSFET N-channel, circuiti integrati NMOSFET, a resistenza di input hè assai alta, a maiò parte ùn deve micca digerirà l'assorbimentu di u flussu di putere, è cusì i circuiti integrati CMOSFET è NMOSFET cunnessi senza avè da piglià in contu. contu a carica di circuiti integrati flow.NMOSFET, a maiò parte di a selezzione di un unicu gruppu pusitivu switching power supply circuit circuits power supply. a maiuranza di i circuiti integrati NMOSFET utilizanu un unicu circuitu di alimentazione di commutazione positiva, è à 9V per più. I circuiti integrati CMOSFET solu bisognu di usà u listessu circuitu di alimentazione di circuitu di alimentazione cum'è i circuiti integrati NMOSFET, ponu esse cunnessi immediatamente cù i circuiti integrati NMOSFET. Tuttavia, da NMOSFET à CMOSFET immediatamente cunnessu, perchè a resistenza di pull-up di output NMOSFET hè menu di u CMOSFET circuit integratu keyed pull-up resistance, cusì pruvate d'applicà una resistenza di pull-up di differenza potenziale R, u valore di a resistenza R hè généralement de 2 à 100 KΩ.

Custruzzione di MOSFET addensati à canali N
Nant'à un sustrato di siliciu di tipu P cù un valore di cuncentrazione di doping bassu, sò fatti duie regioni N cun un altu valore di cuncentrazione di doping, è dui elettrodi sò estratti da u metale d'aluminiu per serve cum'è u drain d è a fonte s, rispettivamente.

Allora in a superficia cumpunenti semiconductor masking una strata assai magre di tubu insulating silice, in u drain - surghjente tubu insulating trà u drain è surghjente di un altru electrode aluminium, cum'è a porta g.

In u sustrato porta ancu fora un elettrodu B, chì hè custituitu da un MOSFET N-canale grossu. A fonte MOSFET è u sustrato sò generalmente cunnessi inseme, a maiò parte di a pipa in a fabbrica hè stata longa cunnessa à questu, a so porta è altri elettrodi sò insulati trà u casing.