In cuntrastu à u triodu di cristallo spinning duale, hè generalmente sentitu chì fà uMOSFETconducta ùn aduprà un flussu elettricu, ma solu bisognu di u voltage GS à esse più altu chè un certu valore. Hè relativamente faciule di fà questu, avemu principalmente bisognu di una certa tarifa.
Per a struttura di u MOSFET, pudemu truvà in u GS, GD, ci sarà qualchi capacitance parassiti, è u drive MOSFET, in fattu, hè di carica è capacitance scaricamentu. Per a carica di capacitors avemu solu bisognu di un currente hè abbastanza, perchè u capacitor in u mumentu di carica hè equivalente à u capacitor cum'è un cortu-circuit, sta volta u currenti instantani serà più altu ch'è u valore di a situazione generale. Per quessa, avemu allora selezziunà o cuncepisce u prugramma di circuitu di cunduce MOSFET, a prima cosa chì deve esse attentu à a dimensione di u currente di cortu-circuit istantaneu pò esse furnita.
Siconda, NMOS, chì hè largamente utilizatu per u drive high-end, deve lascià a tensione di a porta superà a tensione di fonte quandu conduce. High-end drive MOSFET in u tempu, a tensione surghjente è a dimensione di tensione di drenu hè u stessu, cusì sta volta a tensione di a porta deve esse 4V o 10V più grande di Vcc. Sè in u listessu sistemu, vulete arrivare più grande chè Vcc gate voltage, vi tocca à spicializari in u cuntrollu di u circuitu voltage. Parechji mutori di mutore sò cumposti da pompe di carica, deve esse nutatu chì duvemu sceglie u capacitore esternu adattatu, in modu di ottene un currente di cortu-circuit abbastanza per guidà u MOSFET.
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Postu tempu: Jul-06-2024
