Ci hè parechje variazioni di i simboli di circuiti cumunimenti utilizati per i MOSFET. U disignu più cumuni hè una linea recta chì rapprisenta u canali, duie linee perpendiculari à u canali chì rapprisentanu a fonte è u drenu, è una linea più corta parallela à u canali à manca chì rapprisenta a porta. A volte, a linea dritta chì rapprisenta u canali hè ancu rimpiazzata da una linea rotta per distinguerà u modu di rinfurzàmosfettu o mosfet modu di depletion, chì hè ancu divisu in N-channel MOSFET è P-channel MOSFET dui tipi di simbuli circuitu cum'è mostra in a figura (a direzzione di a freccia hè sfarente).
I MOSFET di potenza funzionanu in dui modi principali:
(1) Quandu un voltage pusitivu hè aghjuntu à D è S (drain pusitivu, fonte negativa) è UGS = 0, a junction PN in a regione di u corpu P è a regione di drenu N hè inversa, è ùn ci hè micca corrente chì passa trà D. è S. Se un voltage pusitivu UGS hè aghjuntu trà G è S, ùn ci hè micca un currente di porta, perchè a porta hè insulata, ma una tensione pusitiva à a porta hà da spinghje i buchi da a regione P sottu, è l'elettroni di u trasportatore minoritariu saranu. esse attrattu da a superficia di a regione P Quandu l'UGS hè più grande di una certa tensione UT, a cuncentrazione di l'elettroni nantu à a superficia di a regione P sottu à a porta superà a cuncentrazione di u pirtusu, facendu cusì a capa antipattern di semiconductor P-tip N-type semiconductor. ; sta strata antipattern forma un canale N-tipu trà a surgente è drenu, cusì chì a junction PN sparisce, a surgente è drenaje conductive, è un drain currenti ID scorri à traversu u drain. UT hè chjamatu u voltage turn-on o a tensione di soglia, è più UGS supera UT, più cunduttiva hè a capacità conduttiva, è più grande hè l'ID. Più grande l'UGS supera UT, più forte a conduttività, più grande l'ID.
(2) Quandu D, S plus voltage negativu (fonte pusitivu, drain negativu), a junction PN hè biased in avanti, equivalente à un diodu inversu internu (ùn hà micca caratteristiche di risposta rapida), vale à dì,MOSFET ùn hà micca capacità di bluccatura inversa, pò esse cunsideratu cum'è cumpunenti di cunduzzione inversa.
Per uMOSFET principiu di u funziunamentu pò esse vistu, a so cunduzzione solu una polarità purtatori implicati in u cunduttore, cusì canusciutu macari comu unipolar transistor.MOSFET drive hè spessu basatu nantu à i paràmetri di alimentazione IC è MOSFET per selezziunà u circuitu apprupriatu, MOSFET hè generalmente usatu per cambià. circuitu d'accionamentu di alimentazione. Quandu si cuncepisce una fonte d'energia di commutazione cù un MOSFET, a maiò parte di a ghjente cunsidereghja a resistenza, a tensione massima è a corrente massima di u MOSFET. Tuttavia, a ghjente assai spessu cunzidira solu questi fattori, perchè u circuitu pò travaglià bè, ma ùn hè micca una bona suluzione di design. Per un disignu più detallatu, u MOSFET deve ancu cunsiderà a so propria infurmazione di parametri. Per un MOSFET definitu, u so circuitu di guida, u piccu currente di l'output drive, etc., affettanu a prestazione di commutazione di u MOSFET.
Tempu di Post: 17-May-2024
