Analizà i MOSFET di Enhancement and Depletion

D-FET hè in u bias di a porta 0 quandu l'esistenza di u canali, pò cunduce u FET; E-FET hè in u bias di a porta 0 quandu ùn ci hè micca un canale, ùn pò micca cunduce u FET. sti dui tipi di FET anu e so caratteristiche è usi. In generale, FET rinfurzata in circuiti d'alta velocità è di bassa putenza hè assai preziosa; è stu dispusitivu hè u travagliu, hè a polarità di a porta bias voltage è drenu tensione di u listessu, hè più còmuda in u disignu circuit.

 

U significatu cusì-chiamatu rinfurzatu: quandu VGS = 0 tubu hè un statu cut-off, più u VGS currettu, a maiò parte di i trasportatori sò attratti da a porta, cusì "migliora" i trasportatori in a regione, furmendu un canali cunduttivi. MOSFET rinfurzatu n-canale hè basicamente una topulugia simmetrica sinistra-destra, chì hè u semiconductor di tipu P nantu à a generazione di una strata di insulazione di film SiO2. Genera una strata isolante di film SiO2 nantu à u semiconduttore di tipu P, è poi diffonde duie regioni di tipu N altamente dopate.fotolitografia, è porta l'elettrodi da a regione N-tipu, unu per u drenu D è unu per a fonte S. Una strata di metallu d'aluminiu hè placata nantu à a capa insulating trà a fonte è u drenu cum'è a porta G. Quandu VGS = 0 V , Ci sò uni pochi diodi cù diodi back-to-back trà u drenu è a surgente è a tensione trà D è S ùn forma micca un currente trà D è S. U currente trà D è S ùn hè micca furmatu da a tensione applicata. .

 

Quandu a tensione di a porta hè aghjuntu, se 0 < VGS < VGS (th), à traversu u campu elettricu capacitivu furmatu trà a porta è u sustrato, i buchi di polioni in u semiconductor di tipu P vicinu à u fondu di a porta sò respinti in fondu, è apparisce una fina capa di depletion di ioni negativi; à u listessu tempu, si attrae u oligons therein à spustà à u stratu superficia, ma u numeru hè limitata è insufficient à furmà un canali conductive chì cumunicà u drain è surghjente, cusì hè sempre insufficient à Formation di drain ID currenti. aumentu di più VGS, quandu VGS > VGS (th) (VGS (th) hè chjamatu u voltage turn-on), perchè à questu tempu a tensione di a porta hè stata relativamente forte, in u stratu di superficia semiconductor di tipu P vicinu à u fondu di a porta sottu à a riunione di più elettroni, pudete furmà una trinchera, u drenu è a fonte di cumunicazione. Sè a tensione surghjente drain hè aghjuntu à stu tempu, u currenti drain pò esse furmatu ID. ilittroni in u canali cunduttivi furmati sottu à a porta, per via di u pirtusu traspurtadore cù a polarità semiconductor P-tipu hè oppostu, cusì hè chjamatu stratu anti-tipu. Siccomu VGS cuntinueghja à aumentà, ID continuerà à aumentà. ID = 0 à VGS = 0V, è u currenti di drenu si trova solu dopu à VGS> VGS (th), cusì, stu tipu di MOSFET hè chjamatu MOSFET di rinfurzà.

 

A relazione di cuntrollu di VGS nantu à u currenti di drenu pò esse discritta da a curva iD = f(VGS(th))|VDS=const, chì hè chjamata curva caratteristica di trasferimentu, è a magnitudine di a pendenza di a curva caratteristica di trasferimentu, gm, riflette u cuntrollu di a corrente di drenu da a tensione di a fonte di a porta. a magnitudine di gm hè mA / V, cusì gm hè ancu chjamatu transconductance.