L'evoluzione di MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) hè un prucessu pienu d'innuvazioni è scuperte, è u so sviluppu pò esse riassuntu in e seguenti tappe chjave:
I. I primi cuncetti è esplorazioni
Cuncepimentu prupostu:L'invenzione di u MOSFET pò esse tracciata finu à l'anni 1830, quandu u cuncettu di u transistor à effettu di campu hè statu introduttu da u Lilienfeld tedescu. Tuttavia, i tentativi durante stu periodu ùn anu micca successu à rializà un MOSFET praticu.
Un studiu preliminare:In seguitu, i Bell Labs di u Shaw Teki (Shockley) è altri anu ancu pruvatu à studià l'invenzione di tubi d'effettu di campu, ma u listessu ùn hà micca successu. Tuttavia, a so ricerca hà stabilitu a fundazione per u sviluppu dopu di MOSFET.
II. A nascita è u sviluppu iniziale di MOSFET
Avanzata chjave:In u 1960, Kahng è Atalla anu inventatu accidintali u transistor à effettu di campu MOS (transistor MOS in breve) in u prucessu di migliurà a prestazione di transistor bipolari cù diossidu di siliciu (SiO2). Questa invenzione hà marcatu l'entrata formale di MOSFET in l'industria di fabricazione di circuiti integrati.
Aumento di u rendiment:Cù u sviluppu di a tecnulugia di prucessu di semiconductor, u rendiment di i MOSFET cuntinueghja à migliurà. Per esempiu, a tensione di u funziunamentu di u MOS d'alta tensione pò ghjunghje à 1000V, u valore di resistenza di u MOS di bassa resistenza hè solu 1 ohm, è a freccia operativa varieghja da DC à parechji megahertz.
III. Ampia applicazione di MOSFET è innovazione tecnologica
Ampiamente usatu:I MOSFET sò largamente usati in parechji dispositi elettronichi, cum'è microprocessori, ricordi, circuiti lògichi, etc., per via di u so eccellenti rendiment. In i dispositi elettronichi muderni, i MOSFET sò unu di i cumpunenti indispensabili.
Innuvazione tecnologica:Per risponde à i bisogni di frequenze operative più altu è livelli di putenza più altu, IR hà sviluppatu u primu MOSFET di putenza. in seguitu, assai novi tippi di dispusitivi di putenza sò stati introdutti, cum'è IGBT, GTO, IPM, etc., è sò stati sempre più utilizati in i campi rilativi.
Innuvazione materiale:Cù l'avanzamentu di a tecnulugia, novi materiali sò esplorati per a fabricazione di MOSFET; per esempiu, materiali di carbure di silicium (SiC) sò cuminciatu à riceve l'attenzione è a ricerca per via di e so proprietà fisiche superiori. SiC materiali anu una conduttività termale più altu è una larghezza di banda pruibita paragunata à i materiali Si cunvinziunali, chì determina e so proprietà eccellenti cum'è alta densità di corrente, alta. forza di u campu di breakdown, è alta temperatura di funziunamentu.
Quartu, a tecnulugia di punta di MOSFET è a direzzione di sviluppu
Transistor Dual Gate:Diversi tecnichi sò stati pruvati à fà transistors dual gate per migliurà ancu u rendiment di MOSFET. I transistori MOS di doppia porta anu una capacità di scontru megliu cumparatu cù una porta unica, ma a so capacità di riduzzione hè sempre limitata.
Effettu di trinchera corta:Una direzzione di sviluppu impurtante per i MOSFET hè di risolve u prublema di l'effettu di u canali curtu. L'effettu di u cortu-canale limitarà l'ulteriore migliuramentu di u funziunamentu di u dispusitivu, per quessa, hè necessariu di superà stu prublema riducendu a prufundità di a junction di e regioni fonte è drenu, è rimpiazzà e junctions PN fonte è drenu cù contatti metalli-semiconductor.
In sintesi, l'evoluzione di i MOSFET hè un prucessu da u cuncettu à l'applicazione pratica, da u miglioramentu di u rendiment à l'innuvazione tecnologica, è da l'esplorazione di materiale à u sviluppu di tecnulugia di punta. Cù u sviluppu cuntinuu di a scienza è a tecnulugia, i MOSFET continueranu à ghjucà un rolu impurtante in l'industria elettronica in u futuru.
Tempu di Postu: Set-28-2024
