Oghje, cù u rapidu sviluppu di a scienza è a tecnulugia, i semiconduttori sò usati in più è più industrii, in quale uMOSFET hè ancu cunsideratu un dispositivu semiconductor assai cumuni, u prossimu passu hè di capisce ciò chì hè a diffarenza trà e caratteristiche di u transistor di cristallo di putenza bipolari è a putenza di output MOSFET.
1, u modu di travagliu
MOSFET hè u travagliu necessariu per prumove a tensione di u funziunamentu, i diagrammi di circuiti spieganu relativamente sèmplice, prumove a putenza di u picculu; transistor cristal di putenza hè un flussu di putenza à prumove u disignu di u prugramma hè più cumplessu, per prumove a specificazione di l'scelta di difficiuli di prumove l'specificazione metterà in pericolu a vitezza switching tutale di l'alimentazione.
2, a vitezza di cunversione tutale di l'alimentazione
MOSFET affettatu da a temperatura hè chjuca, a putenza di uscita di l'alimentazione di l'alimentazione pò assicurà chì più di 150KHz; U transistor di cristallo di putenza hà un pocu tempu di almacenamentu di carica gratuitu chì limita a so velocità di commutazione di l'alimentazione, ma a so putenza di output hè generalmente micca più di 50KHz.
3 、 Zona di travagliu sicura
MOSFET di putenza ùn hà micca una basa secundaria, è a zona di travagliu sicura hè larga; U transistor di cristallo di putenza hà una situazione di basa secundaria, chì limita l'area di travagliu sicura.
4 、 Tensione di travagliu di u travagliu di u cunduttore elettricu
putenzaMOSFET appartene à u tipu d'altu voltage, a tensione di travagliu di u travagliu di cunduzzione hè più altu, ci hè un coefficient di temperatura pusitivu; transistor cristal di putenza ùn importa quantu soldi hè resistente à a tensione di travagliu esigenza di travagliu, a tensione di travagliu di u cunduttore elettricu hè più bassu, è hà un coefficient di temperatura negativu.
5, u flussu di putenza massima
Power MOSFET in u switching power supply circuit circuit power supply circuit circuit power supply circuit comu un switch supply power, in u funziunamentu è u travagliu stabile in u mezu, u flussu massimu putenza hè più bassu; è u transistor di cristallo di putenza in u funziunamentu è u travagliu stabile in u mezu, u flussu di putenza massima hè più altu.
6, u costu di u pruduttu
U costu di putenza MOSFET hè un pocu più altu; u costu di u triode di cristalli di putenza hè pocu più bassu.
7 、 Effettu di penetrazione
Power MOSFET ùn hà micca effettu di penetrazione; U transistor di cristallo di putenza hà un effettu di penetrazione.
8 、 Perdita di cambiamentu
A perdita di cunversione MOSFET ùn hè micca grande; a perdita di commutazione di transistor di cristallo di putenza hè relativamente grande.
In più, a maiò parte di u putere MOSFET integratu diode di shock absorbing, mentri u transistor di cristallo di putenza bipolari quasi micca integratu diode di shock absorbing diode.MOSFET diode di shock absorbing pò ancu esse un magnetu universale per scambià circuiti di alimentazione bobine magnetiche per dà l'angolo di fattore di putenza. di u canali di sicurità di u flussu di energia. Tubu di effettu di campu in u diodu di shock absorbing in tuttu u prucessu di spegnimentu cù u diodu generale cum'è l'esistenza di u flussu di corrente di ricuperazione inversa, in questu tempu u diodu da una parte per piglià u drenu - surghjente polu pusitivu mediu di un sustanziale. risurrezzione di i bisogni di u travagliu di a tensione di u funziunamentu, invece, è u flussu di corrente di ricuperazione inversa.
Tempu di Post: 29-May-2024
