Quandu cuncepisce un fornimentu di alimentazione di commutazione o un circuitu di mutore di mutore cù MOSFET incapsulati, a maiò parte di a ghjente cunsiderà a resistenza di u MOS, a tensione massima, etc., a corrente massima, etc., è ci sò parechji chì cunzidenu solu questi fattori. Tali circuiti ponu travaglià, ma ùn sò micca eccellenti è ùn sò micca permessi cum'è disinni formali di produttu.
U seguitu hè un pocu riassuntu di i principii di MOSFET èMOSFETcircuiti driver, chì mi riferite à un numeru di fonti, micca tutti uriginale. Includendu l'intruduzioni di MOSFET, caratteristiche, circuiti di guida è applicazioni. Packaging tipi di MOSFET è junction MOSFET hè un FET (un altru JFET), pò esse fabbricatu in un tipu rinfurzatu o di depletion, P-channel o N-channel un totale di quattru tipi, ma l'applicazione attuale di solu MOSFET rinfurzatu N-channel è P rinfurzatu. -channel MOSFET, cusì generalmente chjamatu NMOS, o PMOS si riferisce à sti dui tipi.
Cum'è perchè ùn aduprà MOSFET di tipu di depletion, ùn hè micca cunsigliatu per ghjunghje sin'à u fondu. Per questi dui tipi di MOSFET di rinfurzà, NMOS hè più comunmente utilizatu per via di a so bassa resistenza è facilità di fabricazione. Dunque, l'applicazioni di l'alimentazione di l'alimentazione è di l'accionamentu di u mutore, generalmente utilizanu NMOS. a seguente introduzione, ma ancu di piùNMOS-basatu.
I MOSFET anu una capacità parassita trà i trè pin, chì ùn hè micca necessariu, ma per via di limitazioni di u prucessu di fabricazione. L'esistenza di capacitance parasita in u disignu o selezzione di u circuitu di u drive per esse qualchì problema, ma ùn ci hè micca manera di evitari, è dopu discrittu in detail. Comu pudete vede nantu à u schematic MOSFET, ci hè un diodu parasiticu trà u drain è a fonte.
Questu hè chjamatu diodu di u corpu è hè impurtante per guidà carichi induttivi cum'è i mutori. In modu, u diodu di u corpu hè presente solu in individuuMOSFETè di solitu ùn hè micca prisente in u chip di circuit integratu.MOSFET ON CharacteristicsOn significa agisce cum'è un switch, chì hè equivalenti à un switch closesure.
E caratteristiche NMOS, Vgs più grande di un certu valore cunduceranu, adattatu per l'usu in u casu quandu a surgente hè messa in terra (unità low-end), sempre chì a tensione di a porta di 4V o 10V. E caratteristiche PMOS, Vgs menu di un certu valore cunduceranu, adattatu per l'usu in u casu quandu a fonte hè cunnessa à VCC (unità high-end). In ogni casu, ancu se PMOS pò esse facilmente utilizatu cum'è un driver high-end, NMOS hè di solitu utilizatu in driver high-end per via di a grande resistenza, di prezzu altu è di pochi tipi di rimpiazzamentu.
Packaging MOSFET switching tubu pèrdita, s'ellu hè NMOS o PMOS, dopu à a cunduzzione ci hè a resistenza esiste, cusì chì u currenti cunsumà energia in sta resistenza, sta parte di l'energia cunsumata hè chjamata perdita di cunduzzione. Selezziunà un MOSFET cù una piccula resistenza à a resistenza riducerà a perdita di cunduzzione. Oghje, a resistenza di u MOSFET di piccula putenza hè generalmente intornu à decine di milliohms, è uni pochi di milliohms sò ancu dispunibili. prucessu di decreasing, è u currenti chì scorri à traversu hà un prucessu di cresce.During stu tempu, a perdita di u MOSFET hè u pruduttu di a tensione è u currenti, chì hè chjamatu a perdita switching. Di solitu, a perdita di commutazione hè assai più grande di a perdita di cunduzzione, è più veloce hè a frequenza di commutazione, più grande a perdita. U pruduttu di voltage è currente à l'istante di cunduzzione hè assai grande, risultatu in grandi pèrdite.
Accurtà u tempu di commutazione riduce a perdita à ogni cunduzzione; riducendu a freccia di cunversione riduce u nùmeru di switch per unità di tempu. Sti dui approcci ponu riduce e perdite di cambiamentu. U pruduttu di tensione è currente in l'istante di cunduzzione hè grande, è a perdita resultanti hè ancu grande. Accurtà u tempu di cambiamentu pò riduce a perdita à ogni cunduzzione; riducendu a frequenza di commutazione pò riduce u numeru di switches per unità di tempu. Sti dui approcci ponu riduce e perdite di cambiamentu. Driving Paragunatu à i transistors bipolari, hè generalmente cridutu chì nisuna corrente hè necessaria per accende un MOSFET imballatu, sempre chì a tensione GS hè sopra à un certu valore. Questu hè faciule fà, però, avemu ancu bisognu di rapidità. A struttura di u MOSFET incapsulated pò esse vistu in a prisenza di capacitance parassita trà GS, GD, è a guida di u MOSFET hè, in fattu, a carica è scaricamentu di a capacità. A carica di u condensatore richiede un currente, perchè a carica di u condensatore istantaneamente pò esse vistu cum'è un cortu circuitu, cusì u currente istantaneu serà più grande. A prima cosa da nutà quandu selezziunate / cuncepimentu di un driver MOSFET hè a dimensione di u currente istantaneu di cortu circuitu chì pò esse furnitu.
A seconda cosa da nutà hè chì, generalmente utilizatu in l'unità NMOS high-end, a tensione di porta puntuale deve esse più grande di a tensione di fonte. High-end drive MOSFET cunduzzione surghjente voltage è drain voltage (VCC) u listessu, cusì u voltage porta chè u VCC 4 V o 10 V. Sè in u listessu sistema, pè ottene una voltage più grande chè u VCC, avemu a spicializari in circuiti di rinfurzà. Parechji mutori di mutore anu integratu pompe di carica, hè impurtante nutà chì duvete sceglie a capacità esterna appropritata, per ottene abbastanza corrente di cortu-circuit per guidà u MOSFET. 4V o 10V sò cumunimenti utilizati in a tensione di u statu di u MOSFET, sicuru, u disignu deve avè un certu marghjenu. A più alta hè a tensione, più veloce a velocità di u statu è più bassa a resistenza di u statu. Oghje, ci sò MOSFETs cù voltage più chjucu nantu à u statu utilizatu in diversi campi, ma in i sistemi elettronichi di l'automobile 12V, in generale 4V in u statu hè abbastanza. MOSFET drive circuit è a so perdita.
Postu tempu: Apr-20-2024
