Transistor à effettu di campu abbreviatu cum'èMOSFET.Ci sò dui tipi principali: tubi effettu campu junction è tubi effettu campu semiconductor metal-oxide. U MOSFET hè ancu cunnisciutu com'è un transistor unipolari cù a maiuranza di trasportatori implicati in a conduttività. Sò dispusitivi semiconductor cuntrullati in tensione. A causa di a so alta resistenza à l'ingaghjamentu, u rumore bassu, u cunsumu d'energia bassu è altre caratteristiche, facenu un forte competitore à i transistori bipolari è i transistori di putenza.
I. Paràmetri principali di MOSFET
1, paràmetri DC
A currente di drenu di saturazione pò esse definita cum'è a corrente di drenu chì currisponde à quandu a tensione trà a porta è a fonte hè uguale à zero è a tensione trà u drain è a fonte hè più grande di a tensione di pinch-off.
Pinch-off voltage UP: L'UGS hè necessariu di riduce l'ID à un picculu currente quandu u UDS hè sicuru;
Turn-on voltage UT: UGS hè necessariu di portà l'ID à un certu valore quandu UDS hè sicuru.
2 、 Parametri AC
Transconductance di bassa frequenza gm : Descrive l'effettu di cuntrollu di a tensione di a porta è di a fonte nantu à a corrente di drain.
Capacità inter-pole: a capacità trà i trè elettrodi di u MOSFET, u più chjucu u valore, u megliu u rendiment.
3, paràmetri limite
Drain, surghjente rupture voltage: quandu u currenti di drenu s'arrizza sharply, si pruducia rupture avalanche quandu u UDS.
Tensione di rottura di a porta: u funziunamentu normale di u tubu di l'effettu di u campu di a junction, a porta è a fonte trà a junction PN in u statu di preghjudiziu inversu, u currente hè troppu grande per pruduce a rottura.
II. Caratteristiche diMOSFET
MOSFET hà una funzione di amplificazione è pò furmà un circuitu amplificatu. Comparatu cù un triode, hà e seguenti caratteristiche.
(1) U MOSFET hè un dispositivu cuntrullatu di tensione, è u putenziale hè cuntrullatu da UGS;
(2) U currente à l'input di u MOSFET hè estremamente chjucu, cusì a so resistenza di input hè assai alta;
(3) A so stabilità di a temperatura hè bona perchè usa i trasportatori di maiuranza per a conduttività;
(4) U coefficient d'amplificazione di tensione di u so circuitu di amplificazione hè più chjucu di quellu di un triode;
(5) Hè più resistente à a radiazione.
Terzu,MOSFET è paraguni di transistor
(1) Surghjente MOSFET, porta, drenaje è fonte triode, basa, set point pole currisponde à u rolu di simili.
(2) MOSFET hè un dispositivu currente cuntrullatu in tensione, u coefficient d'amplificazione hè chjucu, a capacità di amplificazione hè povera; triode hè un dispositivu di tensione cuntrullata in corrente, a capacità di amplificazione hè forte.
(3) A porta MOSFET basicamente ùn piglia micca corrente; è u travagliu di triode, a basa assorberà un certu currente. Dunque, a resistenza di ingressu di a porta MOSFET hè più altu ch'è a resistenza di ingressu di triode.
(4) U prucessu conduttivu di MOSFET hà a participazione di polytron, è u triode hà a participazione di dui tipi di trasportatori, polytron è oligotron, è a so cuncentrazione di oligotron hè assai affettata da a temperatura, a radiazione è altri fattori, per quessa, MOSFET. hà megliu stabilità a temperatura è resistenza à a radiazione cà u transistor. MOSFET deve esse sceltu quandu e cundizioni ambientali cambianu assai.
(5) Quandu MOSFET hè cunnessu à u metale fonte è u sustrato, a fonte è u drainu pò esse scambiatu è e caratteristiche ùn cambianu micca assai, mentri quandu u cullettore è l'emettitore di u transistor sò scambiati, e caratteristiche sò diffirenti è u valore β. hè ridutta.
(6) A figura di rumore di MOSFET hè chjuca.
(7) MOSFET è triode ponu esse cumposti da una varietà di circuiti amplificatori è circuiti di commutazione, ma l'anzianu cunsuma menu putenza, alta stabilità termale, una larga gamma di tensione di furnimentu, cusì hè largamente utilizatu in grande scala è ultra-large- circuiti integrati à scala.
(8) A resistenza di u triode hè grande, è a resistenza di u MOSFET hè chjuca, cusì i MOSFET sò generalmente usati cum'è switches cù una efficienza più alta.
Tempu di Post: 16-May-2024
