Caratteristiche di classificazione MOSFET

MOSFET per via di a so alta resistenza di input, bassu rumore, stabilità termale, vantaghji integrati in i circuiti elettronichi è u so grande flussu di putenza, u circuitu di alimentazione di tensione di u funziunamentu hè largamente utilizatu; applicazione propria, identificà u pin MOSFET, polarità hè assai impurtante, cù u listessu transistor, bisognu à identificà skillfully u pin MOSFET, polarità deve prima capisce a so struttura è principii basi.MOSFETpin hà una porta G, drain D è surgente S trè livelli elettricu, se u tubu dual-gate hà quattru livelli elettricu.

MOSFET pò esse divisu in junctionMOSFETè i MOSFET di a porta di u stratu insulated secondu a custruzzione, di quale i MOSFET di a porta di a capa insulata sò divisi in rinfurzà è depletion; junction MOSFETs "junction" si riferisce à u pn junction, insulated layer gate MOSFET insulated layer gate si riferisce à una strata di porta è fonte, drenu in u mezu. Guaina di cable di diossidu di siliciu, ùn ci hè micca una cunnessione conductiva trà elli. Sicondu e caratteristiche di u canali conduttivi, MOSFET di giunzione è MOSFET di griglia di strati isolati ponu esse divisi in elettroni ècanale di tippu di pirtusu,hè MOSFET cunduttivu canali sicuru.MOSFET hè attribuita à un transistor di cristallo unipolari, u transistor hè attribuitu à u transistor di cristallu bipolari, vale à dì, davanti à una spezia di elettroni liberi solu da un tipu di cunduttivu, l'ultimu hè un tipu di cunduttivu da dui tipi di elettroni liberi. MOSFET appartene à u transistor di cristallu cuntrullatu in tensione, secondu a porta è a surgente di u centru di u cambiamentu di tensione di travagliu per cambià u canali di a capacità di travagliu conductiva. U triodu hè classificatu cum'è un triodu di cristallu manipulatu di flussu, è a dimensione di u currente di junction di u cullettore hè cambiatu secondu u cambiamentu di u flussu.

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