Requisiti di u Circuitu di Driver MOSFET

nutizie

Requisiti di u Circuitu di Driver MOSFET

Cù i cunduttori MOS d'oghje, ci sò parechje esigenze straordinarie:

1. Applicazione Low voltage

Quandu l'applicazione di 5V switchingalimentazione elettrica, à stu tempu s'è l 'usu di struttura tradiziunali totem pole, perchè u triode esse solu 0.7V su è falà pèrdita, risultatu in una specifica porta carica finali nant'à u voltage hè solu 4.3V, à stu tempu, l 'usu di voltage porta permessa. di 4,5 VMOSFET ci hè un certu gradu di risicu.A stessa situazione si trova ancu in l'applicazione di 3V o altre alimentazione di commutazione di bassa tensione.

Requisiti di u Circuitu di Driver MOSFET

applicazione di tensione 2.Wide

A tensione di chjave ùn hà micca un valore numericu, varieghja da u tempu à u tempu o per altri fattori. Questa variazione face chì a tensione di u drive datu à u MOSFET da u circuitu PWM per esse inestabile.

Per assicurà megliu u MOSFET à l'alti voltaggi di a porta, parechji MOSFET anu incorporatu regulatori di tensione per forzà un limitu in a magnitudine di a tensione di a porta. In questu casu, quandu u voltage di u drive hè purtatu à sopra à u voltage di u regulatore, una grande perdita di funzione statica hè causata.

À u listessu tempu, se u principiu di basa di u divisore di tensione di resistenza hè utilizatu per riduce a tensione di a porta, succederà chì, se a tensione di chjave hè più altu, u MOSFET travaglia bè, è se a tensione di chjave hè ridutta, a tensione di porta ùn hè micca. abbastanza, risultatu in insufficient turn-on è turn-off, chì vi valurizà a perdita funziunali.

Circuitu di prutezzione di sovracorrente MOSFET per evità accidenti di burnout di l'alimentazione (1)

3. Appiicazioni Dual voltage

In certi circuiti di cuntrollu, a parte logica di u circuitu applicà a tensione di dati tipica di 5V o 3.3V, mentre chì a parte di putenza di output applica 12V o più, è e duie tensioni sò cunnessi à a terra cumuna.

Questu rende chjaru chì un circuitu di alimentazione deve esse utilizatu in modu chì u latu di bassa tensione pò manipulà ragiunamente u MOSFET d'alta tensione, mentre chì u MOSFET d'alta tensione hà da pudè affruntà e stesse difficultà citate in 1 è 2.

In questi trè casi, a custruzzione di u totem pole ùn pò micca risponde à i requisiti di output, è parechji IC driver MOS esistenti ùn parenu micca include una custruzzione limitante di tensione di porta.


Tempu di post: Jul-24-2024