A scelta diMOSFEThè assai impurtante, una mala scelta pò influenzà l'usu di l'energia di tuttu u circuitu, maestru di i sfumature di diversi cumpunenti MOSFET è paràmetri in diversi circuiti di commutazione pò aiutà l'ingegneri per evità assai prublemi, i seguenti sò alcuni di i cunsiglii di Guanhua Weiye. per a selezzione di MOSFET.
Prima, P-channel è N-channel
U primu passu hè di determinà l'usu di MOSFET di canali N o P-channel. in appiicazioni putenza, quandu una terra MOSFET, è a carica hè culligatu à a tensione di u troncu, uMOSFETcustituisce un interruttore laterale di bassa tensione. In a commutazione laterale di bassa tensione, i MOSFET di N-canale sò generalmente usati, chì hè una considerazione per a tensione necessaria per spegne o accende u dispusitivu. Quandu u MOSFET hè cunnessu à l'autobus è a terra di carica, hè utilizatu un interruttore laterale d'alta tensione. I MOSFET di u canali P sò generalmente utilizati, per via di considerazioni di unità di tensione. Per selezziunà i cumpunenti adattati per l'applicazione, hè impurtante determinà a tensione necessaria per guidà u dispusitivu è quantu faciule hè di implementà in u disignu. U prossimu passu hè di determinà a tensione di tensione necessaria, o a tensione massima chì u cumpunente pò purtà. Più altu hè a tensione di tensione, u più altu hè u costu di u dispusitivu. In pratica, a tensione di tensione deve esse più grande di a tensione di u troncu o di l'autobus. Questu furnisce una prutezzione abbastanza per chì u MOSFET ùn falla micca. Per a selezzione di MOSFET, hè impurtante per determinà a tensione massima chì pò esse supportata da u drain à a fonte, vale à dì, u VDS massimu, per quessa, hè impurtante sapè chì a tensione massima chì u MOSFET pò sustene varieghja cù a temperatura. I diseggiani anu bisognu di pruvà a gamma di tensione nantu à tutta a gamma di temperatura operativa. A tensione nominale deve avè abbastanza margine per copre questa gamma per assicurà chì u circuitu ùn falla micca. Inoltre, altri fattori di sicurità anu da esse cunsideratu transitori di tensione indotta.
Siconda, determinà a valutazione attuale
A valutazione attuale di u MOSFET dipende da a struttura di u circuitu. A valutazione attuale hè a corrente massima chì a carica pò sustene in ogni circustanza. Simile à u casu di tensione, u designer hà bisognu di assicurà chì u MOSFET sceltu hè capaci di purtà stu currente nominale, ancu quandu u sistema genera un spike current. I dui scenarii attuali da cunsiderà sò u modu cuntinuu è i picchi di impulsi. u MOSFET hè in un statu fermu in modu di cunduzzione cuntinuu, quandu u currente passa continuamente à traversu u dispusitivu. Spikes Pulse si riferisce à un gran numaru di surge (o spikes di currenti) chì passanu à traversu u dispusitivu, in quale casu, una volta chì a currente massima hè stata determinata, hè solu una questione di selezziunà direttamente un dispositivu chì pò sustene sta corrente massima.
Dopu avè sceltu u currente nominale, a perdita di cunduzzione hè ancu calculata. In casi specifichi,MOSFETÙn sò micca cumpunenti ideali per via di i perditi elettrici chì si trovanu durante u prucessu di cunduzzione, i cosi-chiamati perditi di cunduzzione. Quandu "on", u MOSFET agisce cum'è una resistenza variabile, chì hè determinata da u RDS (ON) di u dispusitivu è cambia significativamente cù a temperatura. A perdita di putenza di u dispusitivu pò esse calculata da Iload2 x RDS(ON), è postu chì a resistenza à a temperatura varia cù a temperatura, a perdita di putenza varieghja proporzionalmente. U più altu hè a tensione VGS applicata à u MOSFET, u più bassu u RDS (ON); à u cuntrariu, u più altu hè u RDS (ON). Per u disegnatore di u sistema, questu hè quì chì i scambii entranu in ghjocu secondu a tensione di u sistema. Per i disinni portatili, i voltaggi più bassi sò più faciuli (è più cumuni), mentre chì per i disinni industriali, i voltaggi più alti pò esse usatu. Nota chì a resistenza RDS (ON) cresce ligeramente cù u currente.
A tecnulugia hà un impattu tremendu nantu à e caratteristiche di i cumpunenti, è certi tecnulugii tendenu à risultatu in un aumentu di RDS (ON) quandu aumenta u VDS massimu. Per tali tecnulugii, un aumentu di a dimensione di wafer hè necessariu se VDS è RDS (ON) anu da esse abbassatu, cusì aumentendu a dimensione di u pacchettu chì và cun ellu è u costu di sviluppu currispondente. Ci hè una quantità di tecnulugii in l'industria chì tentanu di cuntrullà l'aumentu di a dimensione di l'ostia, i più impurtanti di quali sò e tecnulugia di trinchera è di bilanciu di carica. In a tecnulugia di trinchera, una trinchera prufonda hè incrustata in l'ostia, di solitu riservata à basse tensioni, per riduce a resistenza RDS (ON).
III. Determina i bisogni di dissipazione di u calore
U prossimu passu hè di calculà i bisogni termichi di u sistema. Dui scenarii diffirenti deve esse cunsideratu, u peghju casu è u casu reale. TPV ricumanda di calculà i risultati per u peghju scenariu, postu chì stu calculu furnisce un più grande margine di sicurezza è assicura chì u sistema ùn falla micca.
IV. Cambia u rendiment
Infine, u rendiment di cambiamentu di u MOSFET. Ci sò parechji paràmetri chì affettanu u funziunamentu di u cambiamentu, l'impurtanti sò a porta / drenu, a porta / fonte è a capacità di drain / fonte. Sti capacitances formanu perditi di cambiamentu in u cumpunente per a necessità di carricà ogni volta chì sò cambiati. In u risultatu, a velocità di cambiamentu di u MOSFET diminuisce è l'efficienza di u dispusitivu diminuite. Per calculà e perdite totali in u dispusitivu durante a commutazione, u designer hà bisognu di calculà e perdite durante l'accensione (Eon) è e perdite durante l'attivazione (Eoff). Questu pò esse spressu da l'equazioni seguenti: Psw = (Eon + Eoff) x frequenza di commutazione. È a carica di a porta (Qgd) hà u più grande impattu nantu à u rendiment di cambiamentu.
Tempu di post: Apr-22-2024
