MOSFET in i Controller di Vehicle Elettricu

1, u rolu di MOSFET in u cuntrollu di u veiculu elettricu

In termini simplici, u mutore hè guidatu da a corrente di output di uMOSFET, u più altu hè u currente di output (per impedisce chì u MOSFET di brusgià, u controller hà una prutezzione di limite di corrente), u più forte u torque di u mutore, più putente hè l'accelerazione.

 

2, u circuitu di cuntrollu di u statu di funziunamentu di MOSFET

Prucessu apertu, in u statu, u prucessu off, u statu cut-off, u statu di rottura.

I perditi principali di u MOSFET includenu perdite di commutazione (on and off process), perdite di cunduzione, perdite di cutoff (causate da corrente di fuga, chì hè insignificante), perdite di energia di avalanche. Sè sti perditi sò cuntrullati in u range tollerable di u MOSFET, u MOSFET hà da travaglià bè, s'ellu supera u range tollerable, i danni saranu.

A perdita di commutazione hè spessu più grande di a perdita di u statu di cunduzzione, in particulare u PWM ùn hè micca cumplettamente apertu, in u statu di modulazione di larghezza di impulsu (currisponde à u statu di accelerazione iniziale di a vittura elettrica), è u più altu statu rapidu hè spessu a perdita di cunduzzione hè. duminatu.

3, i causi principali diMOSdanni

Overcurrent, high currenti causatu da danni à alta temperatura (sustinutu altu currenti è impulsi istantanei di corrente alta causata da a temperatura di a junction supera u valore di tolleranza); overvoltage, liveddu di surgente-drenagiu hè più grande chè u voltage breakdown è breakdown; rupture di porta, di solitu perchè a tensione di a porta hè dannata da u circuitu esternu o di l'accionamentu più di a tensione massima permissibile (in generale, a tensione di a porta deve esse menu di 20v), è ancu di danni di l'electricità statica.

 

4, principiu di commutazione MOSFET

MOSFET hè un dispusitivu voltage-driven, cum'è longu com'è a porta G è u stadiu surghjente S à dà un voltage adattatu trà u stadiu surghjente S è D formanu un circuit di cunduzzione trà u stadiu surghjente. A resistenza di sta strada currente diventa a resistenza interna MOSFET, vale à dì, a resistenza nantu à. A dimensione di sta resistenza interna determina in fondu u massimu currente in u statu chì uMOSFETchip pò sustiniri (di sicuru, dinù liata à altri fattori, u più pertinente hè a resistenza termale). A più chjuca hè a resistenza interna, u più grande u currente.