Chì sò e quattru regioni di un MOSFET?

 

E quattru regioni di un MOSFET di rinfurzà N-channel

(1) Regione di resistenza variabile (chjamata ancu regione insaturata)

Ucs" Ucs (th) (turn-on voltage), uDs" UGs-Ucs (th), hè a regione à a manca di a traccia preclamped in a figura induve u canali hè attivatu. U valore di UD hè chjuca in questa regione, è a resistenza di u canali hè basamente cuntrullata solu da UG. Quandu uGs hè sicuru, ip è uDs in una relazione lineale, a regione hè apprussimata cum'è un inseme di linee dritte. À questu tempu, u tubu effettu campu D, S trà l'equivalente di una tensione UGS

Cuntrullatu da a tensione UGS resistenza variabile.

(2) regione di corrente constante (cunnisciutu ancu com'è regione di saturazione, regione di amplificazione, regione attiva)

Ucs ≥ Ucs (h) è Ubs ≥ UcsUssth), per a figura di u latu drittu di u pre-pinch off track, ma micca ancu sbattutu in a regione, in a regione, quandu u uG deve esse, ib quasi ùn hè micca cambià cù i UDs, hè una carattiristica constant-current. i hè cuntrullata solu da u UGs, allura lu MOSFETD, S hè equivalente à un cuntrollu uGs voltage di a surgente currenti. MOSFET veni usatu in circuits amplification, giniralmenti nant'à u travagliu di u MOSFET D, S hè equivalenti à una tensione uGs cuntrollu surghjente currenti. MOSFET utilizatu in i circuiti di amplificazione, generalmente u travagliu in a regione, cusì cunnisciutu ancu com'è l'area di amplificazione.

(3) Zona di clip-off (chjamata ancu zona di cut-off)

Clip-off area (cunnisciutu ancu com'è cut-off area) per scuntrà u ucs "Ues (th) per a figura vicinu à l'assi horizontale di a regione, u canali hè all clamped off, cunnisciutu com'è u clip off full, io = 0 , u tubu ùn viaghja micca.

(4) locu di a zona di ripartizione

A regione di scomposizione hè situata in a regione à u latu drittu di a figura. Cù u crescente UD, u junction PN hè sottumessu à troppu voltage inversu è rupture, ip aumenta bruscamente. U tubu deve esse operatu in modu per evità di operare in a regione di rottura. A curva caratteristica di trasferimentu pò esse derivata da a curva caratteristica di output. Nantu à u metudu usatu cum'è un gràficu per truvà. Per esempiu, in Figura 3 (a) per Ubs = 6V linea verticale, a so intersection cù i diversi curve currispundenu à i valori i, Us in i coordenadas ib-Uss cunnessi à a curva, vale à dì, per ottene a curva caratteristica di trasferimentu.

Parametri diMOSFET

Ci sò parechji paràmetri di MOSFET, cumpresi paràmetri DC, paràmetri AC è paràmetri limite, ma solu i seguenti paràmetri principali bisognu à esse cuncernatu in usu cumuni: saturatu drain-source current IDSS pinch-off voltage Up, (tubi di junction-type è depletion) -tipu tubi insulated-gate, o turn-on voltage UT (tubi insulated-gate rinfurzata), trans-conductance gm, leakage-source breakdown voltage BUDS, massimu dissipated putenza PDSM, è massimu drain-source IDSM currenti.

(1) Corrente di drenu saturatu

A corrente di drenu saturata IDSS hè a corrente di drenu in un MOSFET di porta isolata di tipu di giunzione o di depletion quandu a tensione di porta UGS = 0.

(2) Clip-off voltage

A tensione di pinch-off UP hè a tensione di a porta in un MOSFET di porta insulata di tippu di giunzione o di depletion chì solu taglia trà u drain è a fonte. Comu mostra in 4-25 per u tubu N-canale UGS una curva ID, pò esse capitu per vede u significatu di IDSS è UP

MOSFET quattru regioni

(3) Turn-on voltage

A tensione di attivazione UT hè a tensione di a porta in un MOSFET di porta isolata rinfurzata chì rende a fonte inter-drain solu conduttiva.

(4) Transconductance

A transconductance gm hè a capacità di cuntrollu di a tensione di fonte di porta UGS nantu à l'ID currenti di drenu, vale à dì, u rapportu di u cambiamentu in l'ID di corrente di drenu à u cambiamentu di u voltage di a fonte di a porta UGS. 9m hè un parametru impurtante chì pesa a capacità di amplificazione di uMOSFET.

(5) Drain surghjente rupture voltage

Drain surghjente breakdown voltage BUDS si rifiriscinu à u gate surghjente voltage UGS certu, MOSFET funziunamentu nurmali pò accettà a tensione massima fonte drain. Questu hè un paràmetru di limitu, aghjuntu à a tensione operativa MOSFET deve esse menu di BUDS.

(6) Dissipazione massima di putenza

A dissipazione di putenza massima PDSM hè ancu un paràmetru limite, si riferisce à uMOSFETa prestazione ùn si deteriora micca quandu a dissipazione di energia massima permessa di a fonte di fuga. Quandu si usa u MOSFET, u cunsumu di energia pratica deve esse menu di u PDSM è lasciate un certu marghjenu.

(7) Corrente di Drain Massimu

L'IDSM di corrente di fuga massima hè un altru paràmetru limite, si riferisce à u funziunamentu normale di u MOSFET, a fonte di fuga di a corrente massima permessa di passà per u currente di operazione di u MOSFET ùn deve micca più di l'IDSM.

Principiu Operativu MOSFET

U principiu di funziunamentu di MOSFET (MOSFET di rinfurzà N-channel) hè di utilizà VGS per cuntrullà a quantità di "carica induttiva", in modu di cambià a cundizione di u canali conduttivu furmatu da queste "carica induttiva", è dopu à ottene u scopu. di cuntrullà u currenti di drenu. U scopu hè di cuntrullà u currenti di drenu. In a fabricazione di tubi, à traversu u prucessu di fà un gran numaru di ioni pusitivi in ​​u stratu insulating, cusì in l'altru latu di l'interfaccia pò esse inducendu più carichi negativi, sti carichi negativi ponu esse indotti.

Quandu a tensione di a porta cambia, a quantità di carica indotta in u canali cambia ancu, a larghezza di u canali cunduttivi cambia ancu, è cusì l'ID currenti di drain cambia cù a tensione di a porta.

U rolu MOSFET

I. MOSFET pò esse appiicata à l'amplificazione. A causa di l'alta impedenza di input di l'amplificatore MOSFET, u condensatore di accoppiamentu pò esse una capacità più chjuca, senza l'usu di condensatori elettrolitici.

Siconda, l'alta impedenza di input di MOSFET hè assai adattata per a cunversione d'impedenza. Comu cumunimenti usatu in u stadiu di input di amplificatore multi-stadiu per a cunversione di impedenza.

MOSFET pò esse usatu cum'è una resistenza variabile.

Quartu, MOSFET pò esse facilmente utilizatu cum'è una fonte di corrente constante.

Quintu, MOSFET pò esse usatu cum'è un switch elettronicu.