Questu hè un imballatuMOSFETsensore infrarossu piroelettricu. U quadru rettangulare hè a finestra di sensazione. U pin G hè u terminal di terra, u pin D hè u drain MOSFET internu, è u pin S hè a fonte MOSFET interna. In u circuitu, G hè cunnessu à a terra, D hè cunnessu à l'alimentazione positiva, i segnali infrarossi sò ingressu da a finestra, è i segnali elettrici sò emessi da S.
La porte du jugement G
U driver MOS svolge principalmente u rolu di a forma d'onda è di migliurà a guida: Se a forma d'onda di u segnale G di uMOSFETùn hè micca abbastanza ripida, pruvucarà una grande quantità di perdita di energia durante a fase di commutazione. U so effettu latu hè di riduce l'efficienza di cunversione circuit. U MOSFET averà una frebba severa è esse facilmente dannatu da u calore. Ci hè una certa capacità trà MOSFETGS. , Se a capacità di guida di u segnu G hè insufficiente, affetterà seriamente u tempu di salto di forma d'onda.
Cortocircuite u polu GS, selezziunà u livellu R × 1 di u multimetru, cunnette u cunduttore di teste neru à u polu S, è u prublemu rossu à u polu D. A resistenza deve esse da pochi Ω à più di deci Ω. S'ellu si trova chì a resistenza di un certu pin è i so dui pins sò infinitu, è hè sempre infinitu dopu à scambià i teste di teste, hè cunfirmatu chì questu pin hè u polu G, perchè hè insulatu da l'altri dui pin.
Determina a fonte S è u drenu D
Pone u multimetru à R × 1k è misurà a resistenza trà i trè pin rispettivamente. Aduprate u metudu di teste di scambiu per misurà a resistenza duie volte. Quellu cù un valore di resistenza più bassu (in generale da uni pochi milla Ω à più di deci milla Ω) hè a resistenza in avanti. À questu tempu, u cunduttore di teste neru hè u polu S è u prublemu rossu hè cunnessu à u polu D. A causa di e diverse cundizioni di prova, u valore misuratu RDS (on) hè più altu ch'è u valore tipicu datu in u manuale.
À proposituMOSFET
U transistor hà un canale di tipu N per quessa hè chjamatu canale NMOSFET, oNMOS. P-channel MOS (PMOS) FET esiste ancu, chì hè un PMOSFET cumpostu da un BACKGATE di tipu N ligeramente dopatu è una fonte è drenu di tipu P.
Indipendentemente da MOSFET di tipu N o P, u so principiu di travagliu hè essenzialmente u listessu. MOSFET cuntrola u currente à u drenu di u terminal di output da a tensione applicata à a porta di u terminal di input. MOSFET hè un dispositivu cuntrullatu in tensione. Cuntrolla e caratteristiche di u dispusitivu attraversu a tensione applicata à a porta. Ùn causa micca l'effettu di almacenamentu di carica causatu da a corrente di basa quandu un transistor hè utilizatu per cambià. Dunque, in u cambiamentu di l'applicazioni,MOSFETduverebbe cambià più veloce di i transistori.
U FET riceve ancu u so nome da u fattu chì u so input (chjamatu a porta) affetta u currente chì passa per u transistor prughjettendu un campu elettricu nantu à una capa insulante. In fatti, nisuna corrente scorri attraversu stu insulator, cusì u currente GATE di u tubu FET hè assai chjucu.
U FET più cumuni utilizeghja una fina capa di diossidu di siliciu cum'è insulator sottu u GATE.
Stu tipu di transistor hè chjamatu transistor semiconductor d'ossidu di metallu (MOS), o transistor d'effettu di campu di semiconductor d'ossidu di metallu (MOSFET). Perchè i MOSFET sò più chjuchi è più efficienti di u putere, anu rimpiazzatu i transistori bipolari in parechje applicazioni.
Tempu di Postu: Nov-10-2023
