Cum'è elementi di commutazione, MOSFET è IGBT sò spessu apparsu in i circuiti elettronichi.Sò ancu simili in l'apparenza è i paràmetri caratteristiche.Credu chì parechje persone si dumandanu perchè certi circuiti anu bisognu di utilizà MOSFET, mentri àutri facenu.IGBT?
Chì ci hè a diffarenza trà elli?Dopu,Olukeyrisponderà à e vostre dumande!
Cosa hè aMOSFET?
MOSFET, u nome chinu cumpletu hè transistor à effettu di campu di semiconductor d'ossidu di metallu.Perchè a porta di stu transistor à effettu di campu hè isolata da una capa insulante, hè ancu chjamata transistor à effettu di campu insulated.MOSFET pò esse divisu in dui tipi: "N-type" è "P-type" secondu a polarità di u so "canale" (travagliatore di travagliu), di solitu ancu chjamatu N MOSFET è P MOSFET.
U MOSFET stessu hà u so propiu diodu parasiticu, chì hè utilizatu per impedisce chì u MOSFET si brusgià quandu VDD hè sopra-voltage.Perchè prima chì l'overvoltage pruvucarà danni à u MOSFET, u diodu si rompe prima è dirige u grande currente à a terra, impediscendu cusì chì u MOSFET sia brusgiatu.
Cosa hè IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) hè un dispositivu semiconductor cumpostu di un transistor è un MOSFET.
I simboli di circuitu di IGBT ùn sò micca unificati ancu.Quandu disegnu u schema schematicu, i simboli di triode è MOSFET sò generalmente prestiti.À questu tempu, pudete ghjudicà s'ellu hè IGBT o MOSFET da u mudellu marcatu nantu à u schema schematicu.
À u listessu tempu, duvete ancu attentu à se l'IGBT hà un diodu di corpu.Se ùn hè micca marcatu nantu à a stampa, ùn significa micca chì ùn esiste micca.A menu chì i dati ufficiali dicenu specificamente altrimenti, stu diodu hè presente.U diodu di u corpu in l'IGBT ùn hè micca parasiticu, ma hè stallatu apposta per prutege a tensione di resistenza di l'IGBT.Hè ancu chjamatu FWD (diode freewheeling).
A struttura interna di i dui hè differente
I trè poli di MOSFET sò fonte (S), drain (D) è porta (G).
I trè poli di l'IGBT sò u cullettore (C), l'emettitore (E) è a porta (G).
Un IGBT hè custruitu aghjunghjendu una capa addiziale à u drenu di un MOSFET.A so struttura interna hè a seguente:
I campi d'applicazione di i dui sò diffirenti
E strutture interne di MOSFET è IGBT sò diffirenti, chì determina i so campi d'applicazione.
Duvuta à a struttura di MOSFET, si pò di solitu ghjunghje sin'à un grande currenti, chì pò ghjunghje sin'à KA, ma u prerequisite voltage sustinute capacità ùn hè micca forte cum'è IGBT.I so principali spazii di applicazione sò l'alimentazione di commutazione, i ballasts, u riscaldamentu à induzione à alta frequenza, i saldatori inverter d'alta frequenza, l'alimentazione di cumunicazione è altri campi di alimentazione d'alta frequenza.
IGBT pò pruduce assai putenza, currente è voltage, ma a freccia ùn hè micca troppu alta.Attualmente, a velocità di cunversione dura di IGBT pò ghjunghje à 100KHZ.IGBT hè largamente utilizatu in saldatrici, inverter, convertitori di frequenza, alimentazione elettrolitica elettrolitica, riscaldamentu à induzione ultrasonica è altri campi.
Caratteristiche principali di MOSFET è IGBT
MOSFET hà e caratteristiche di alta impedenza di input, veloce di cunversione veloce, bona stabilità termale, currente di cuntrollu di tensione, etc. In u circuitu, pò esse usatu cum'è amplificatore, switch elettronicu è altri scopi.
Cum'è un novu tipu di dispositivu semiconductor elettronicu, IGBT hà e caratteristiche di alta impedenza di input, cunsumu d'energia di cuntrollu di bassa tensione, circuitu di cuntrollu simplice, resistenza d'alta tensione è grande toleranza di corrente, è hè stata largamente utilizata in diversi circuiti elettronici.
U circuitu equivalente ideale di IGBT hè mostratu in a figura sottu.IGBT hè in realtà una cumminazione di MOSFET è transistor.MOSFET hà u svantaghju di una alta resistenza, ma IGBT supera stu difettu.IGBT hà sempre una bassa resistenza à alta tensione..
In generale, u vantaghju di MOSFET hè chì hà boni caratteristiche d'alta freccia è pò operà à una frequenza di centinaie di kHz è finu à MHz.U svantaghju hè chì a resistenza hè grande è u cunsumu di energia hè grande in situazioni d'alta tensione è di corrente alta.IGBT funziona bè in situazioni di bassa frequenza è alta putenza, cù una piccula resistenza è una tensione di resistenza alta.
Sceglite MOSFET o IGBT
In u circuitu, sia di sceglie MOSFET cum'è u tubu di l'interruttore di putenza o IGBT hè una quistione chì l'ingegneri spessu scontranu.Se fattori cum'è a tensione, u currente è a putenza di commutazione di u sistema sò cunsiderate, i seguenti punti ponu esse riassunti:
A ghjente dumanda à spessu: "Hè MOSFET o IGBT megliu?"In fatti, ùn ci hè nisuna differenza bona o mala trà i dui.A più impurtante hè di vede a so applicazione attuale.
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Tempu di Postu: Dec-18-2023
