Chì ghjè u principiu di funziunamentu di MOSFET?

Titulu MOSFET (FieldEffect Transistor abbreviation (FET)).MOSFET. da un picculu numeru di traspurtadore à participà à a conductivity termale, canusciutu macari comu transistor junction multi-pole. Hè categurizatu cum'è un dispositivu semi-superconductor cuntrullatu in tensione. A resistenza di output esistenti hè alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), bassu rumore, bassu cunsumu d'energia, gamma statica, faciule d'integrazione, micca un secondu fenomenu di rottura, u compitu d'assicuranza di u largu mare è altri vantaghji, hà avà cambiatu u transistor junction bipolari è transistor junction putenza di i forti cullaburatori.

caratteristiche MOSFET

Prima: MOSFET hè un dispositivu di mastering di tensione, attraversu u VGS (voltage source di porta) per master ID (drain DC);

Sicondu:MOSFEToutput DC hè assai chjucu, cusì a so resistenza di output hè assai grande.

Trè: hè appiicata uni pochi di trasportatori per cunduce u calore, è cusì hà una misura megliu di stabilità;

Quattru: hè custituitu da una strada ridutta di riduzzione elettrica di coefficienti chjuchi per esse più chjuca di u transistor hè custituitu da una strada ridutta di riduzzione elettrica di coefficienti chjuchi;

Quintu: MOSFET putenza anti-irradiation;

Sei: perchè ùn ci hè micca attività difettu di a dispersione minurità causata da particeddi spargugliati di rumore, perchè u rumore hè bassu.

Principiu di u travagliu MOSFET

MOSFETprincipiu compitu in una frase, vale à dì, "drain - surghjente camminare à traversu u canali trà l 'ID, cù l 'elettrodu è u canali trà u pn custruitu in un voltage electrode bias inversa à ammaistrà u ID". Più precisamente, l'amplitude di ID attraversu u circuitu, vale à dì, l'area di u canali trasversali, hè da a variazione pn junction counter-biased, l'occurrence di a strata di depletion per espansione a variazione di a maestria di u mutivu. In u mare non-saturatu di VGS = 0, l'espansione di a strata di transizione indicata ùn hè micca assai grande perchè, secondu u campu magneticu di VDS aghjuntu trà u drain-source, certi elettroni in u mare surgente sò alluntanati da u drain. , vale à dì, ci hè una attività DC ID da u drenu à a fonte. A strata moderata espansione da a porta à u drenu formarà un tipu di bloccu di un corpu sanu di u canali, ID pienu. Riferite à stu mudellu cum'è pinch-off. Questu simbulizeghja chì a capa di transizione ostruisce un sanu di u canali, è ùn hè micca chì a DC hè cut off.

In a strata di transizione, perchè ùn ci hè micca un muvimentu di l'elettroni è i buchi, in a vera forma di e caratteristiche insulating di l'esistenza di a corrente DC generale hè difficiule di spustà. Tuttavia, u campu magneticu trà u drain - surghjente, in pratica, i dui strati di transizione cuntattu drenaje è pole gate bassa manca, perchè u campu magneticu di deriva tira l 'elettroni high-vitezza attraversu lu stratu di transizione. Perchè a forza di u campu magneticu di deriva simpricimenti ùn cambia micca a pienezza di a scena ID. Siconda, VGS à u cambiamentu pusizioni negativu, cusì chì VGS = VGS (off), allura a capa di transizione largamente cambia a forma di copre tuttu u mare. È u campu magneticu di VDS hè largamente aghjuntu à a strata di transizione, u campu magneticu chì tira l'elettrone à a pusizione di drift, finu à chì vicinu à u polu surghjente di u cortu tuttu, chì hè più cusì chì u putere DC ùn hè micca capace di stagnate.