À propositu di MOSFET d'alta putenza hè statu unu di l'ingegneri desiderosi di discutiri u tema, cusì avemu urganizatu a cunniscenza cumuni è pocu cumuni diMOSFET, Spergu d'aiutà l'ingegneri. Parlemu di MOSFET, un cumpunente assai impurtante !
Prutezzione anti-statica
MOSFET d'alta putenza hè un tubu d'effettu di campu di porta insulata, a porta ùn hè micca un circuitu di corrente diretta, l'impedenza d'ingressu hè estremamente alta, hè assai faciule per causà aggregazione di carica statica, chì risulta in una alta tensione serà a porta è a surgente di a strata insulating trà a rottura.
A maiò parte di a prima pruduzzione di MOSFET ùn anu micca misure anti-statica, cusì sia assai attenti in a custodia è l'applicazione, in particulare i MOSFET di putenza più chjuca, per via di a capacità di input MOSFET di putenza più chjuca hè relativamente chjuca, quandu esposta à l'electricità statica genera un voltage più altu, facilmente causatu da una rottura elettrostatica.
L'incrementu recente di MOSFET d'alta putenza hè una diferenza relativamente grande, prima di tuttu, per via di a funzione di una capacità di input più grande hè ancu più grande, perchè u cuntattu cù l'electricità statica hà un prucessu di carica, risultatu in una tensione più chjuca, chì causanu rottura di a pussibilità di più chjuca, è tandu di novu, avà u MOSFET high-putenza in u cancellu internu è a surgente di a porta è surghjente di un regulatore prutetti DZ, u static incrustati in a prutezzione di u valore di regulatore voltage diode regulatore Sottu, effittivamenti prutege u cancellu è surghjente di u stratu insulating, differente putenza, differente mudelli di prutezzione di MOSFET regulator diode voltage regulator valore hè differente.
Ancu s'è e misure di prutezzione internu MOSFET d'alta putenza, duvemu operare in cunfurmità cù e prucedure operative anti-static, chì hè un staffu di mantenimentu qualificatu chì deve avè.
Detezzione è rimpiazzamentu
In a riparazione di i televisori è l'equipaggiu elettricu, scontru una varietà di danni di cumpunenti,MOSFEThè ancu trà elli, chì hè cumu u nostru staffu di mantenimentu à aduprà u multimetru cumunimenti usatu per determinà u MOSFET bonu è cattivu, bonu è cattivu. In a sustituzione di MOSFET se ùn ci hè micca u stessu fabricatore è u stessu mudellu, cumu rimpiazzà u prublema.
1, test MOSFET d'alta putenza:
Cum'è un persunale generale di riparazione di TV elettrica in a misurazione di transistori o diodi di cristalli, generalmente utilizendu un multimetru ordinariu per determinà i transistori o diodi boni è cattivi, ancu s'è u ghjudiziu di i paràmetri elettrici di transistor o diode ùn pò esse cunfirmatu, ma sempre chì u metudu hè currettu per a cunferma di i transistori di cristalli "boni" è "mali" o "mali" per a cunferma di i transistori di cristalli. "Bad" o senza prublema. In listessu modu, MOSFET pò ancu esse
Per applicà u multimetru per determinà u so "bonu" è "malu", da u mantenimentu generale, pò ancu risponde à i bisogni.
A rilevazione deve aduprà un multimetru di tippu puntatore (un metru digitale ùn hè micca adattatu per a misurazione di i dispositi semiconduttori). Per i tubi di commutazione MOSFET di tippu di putenza sò miglioramenti di u canali N, i prudutti di i fabricatori sò quasi tutti aduprendu a stessa forma di pacchettu TO-220F (si riferisce à l'alimentazione di commutazione per a putenza di 50-200W di u tubu di commutazione di l'effettu di campu) , l'arrangiamentu di trè elettrodi hè ancu coherente, vale à dì, i trè
Pins down, stampa modellu di fronte à l'autore, u pin di manca per a porta, u pin di prova dritta per a fonte, u pin mediu per u drenu.
(1) multimetru è preparati cunnessi:
Prima di tuttu, prima di a misurazione deve esse capace di usà u multimetru, in particulare l'applicazione di l'ohm gear, per capisce u bloccu ohm serà l'applicazione curretta di u bloccu ohm per misurà u transistor di cristallo èMOSFET.
Cù u multimeter ohm block ohm center scale ùn pò esse troppu grande, preferibile menu di 12 Ω (tavula 500-type per 12 Ω), cusì chì in u bloccu R × 1 pò avè un currente più grande, per a junction PN di l'avanti caratteristiche di u ghjudiziu hè più precisa. A batteria interna di u multimetru R × 10K di bloccu hè megliu più grande di 9V, perchè in a misurazione di a corrente di fuga inversa di a junction PN hè più precisa, altrimenti a fuga ùn pò esse misurata.
Avà per via di u prugressu di u prucessu di produzzione, u screening di fabbrica, a prova hè assai strettu, ghjudichemu in generale finu à chì u ghjudiziu di u MOSFET ùn hè micca perdite, ùn rompe micca u cortu circuitu, l'internu non-circuiting, pò esse amplificatu nantu à a strada, u metudu hè assai simplice:
Utilizà un multimetru R × 10K blocu; A batteria interna di bloccu R × 10K hè generalmente 9V plus 1.5V à 10.5V sta tensione hè generalmente ghjudicata per esse abbastanza PN junction inversion leakage, a penna rossa di u multimetru hè putenziale negativu (cunnessu à u terminal negativu di a bateria interna), u A penna negra di u multimetru hè un putenziale pusitivu (cunnessu à u terminal pusitivu di a bateria interna).
(2) Prucedura di prova:
Cunnette a penna rossa à a fonte di u MOSFET S; cunnette a penna negra à u drenu di u MOSFET D. À questu tempu, l'indicazione di l'agulla deve esse infinitu. Se ci hè un indice ohmicu, chì indica chì u tubu sottu a prova hà un fenomenu di fuga, stu tubu ùn pò micca esse usatu.
Mantene u statu sopra; à questu tempu cù un resistore 100K ~ 200K cunnessu à a porta è drenu; à questu tempu l'agulla deve indicà u numeru di ohms u più chjucu u megliu, in generale pò esse indicatu à 0 ohms, sta volta hè una carica positiva attraversu a resistenza 100K nantu à a carica di a porta MOSFET, risultatu in un campu elettricu di porta, per via di u campu ilettricu generatu da u canali conductive risultatu in u drenu è a cunduzzione surghjente, cusì u multimeter needle deflection, angle deflection hè grande (indice di Ohm hè chjuca) per pruvà chì u rendiment di scaricamentu hè bonu.
È dopu cunnessu à a resistenza sguassata, allora u punteru di u multimetru deve esse sempre u MOSFET nantu à l'indici ferma invariatu. Ancu s'è u resistore à piglià, ma perchè u resistore à a porta incaricata da a carica ùn sparisce micca, u campu elettricu di a porta cuntinueghja à mantene u canali cunduttivi internu hè sempre mantinutu, chì hè e caratteristiche di u tipu MOSFET di porta insulated.
Sè u resistore à caccià l 'agulla hà da pocu è pocu à pocu à vultà à alta resistenza o ancu vultà à l'infinitu, à cunsiderà chì a misurata tubu gate leakage.
À questu tempu cù un filu, cunnessu à a porta è a fonte di u tubu sottu a prova, l'indicatore di u multimetru hà tornatu immediatamente à l'infinitu. A cunnessione di u filu cusì chì u MOSFET misuratu, liberazione di carica di porta, u campu elettricu internu sparisce; canale conductive sparisce ancu, cusì u drenu è a surgente trà a resistenza è diventanu infinitu.
2, sustituzione MOSFET d'alta putenza
In a riparazione di televisioni è ogni tipu d'equipaggiu elettricu, scontru danni di cumpunenti deve esse rimpiazzati cù u listessu tipu di cumpunenti. In ogni casu, qualchì volta i listessi cumpunenti ùn sò micca in manu, hè necessariu di utilizà altre tipu di rimpiazzamentu, perchè duvemu piglià in contu tutti l'aspetti di u funziunamentu, paràmetri, dimensioni, ecc. longu com'è u cunsiderà di u voltage, currenti, putenza pò giniralmenti rimpiazzatu (linea tubu output guasi u listessu dimensioni di l 'apparizione), è u putere tende à esse più grande è megliu.
Per a sustituzione MOSFET, ancu s'ellu hè ancu questu principiu, hè megliu per prototipà u megliu, in particulare, ùn perseguite micca u putere per esse più grande, perchè u putere hè grande; capacitance input hè grande, cambiatu è circuiti excitation ùn currispondenu à l'excitazione di a resistenza di limitazione di corrente di carica di u circuitu di irrigazione di a dimensione di u valore di resistenza è a capacità di input di u MOSFET hè ligata à a selezzione di u putere di grande malgradu u capacità di grande, ma u capacitance input hè dinù grande, è u capacitance input hè dinù grande, è u putere ùn hè grande.
A capacità di input hè ancu grande, u circuitu d'excitazione ùn hè micca bonu, chì à u turnu farà u MOSFET on and off performance peor. Mostra a sustituzione di diversi mudelli di MOSFET, tenendu in contu a capacità di input di stu paràmetru.
Per esempiu, ci hè un 42-inch LCD TV backlight high-voltage bord dannu, dopu à cuntrollà u dannu internu MOSFET high-putenza, perchè ùn ci hè micca numeru prototipu di sustituzione, a scelta di una tensione, currenti, putenza ùn sò micca menu cà u rimpiazzamentu MOSFET uriginale, u risultatu hè u tubu di retroilluminazione pari à esse un flicker cuntinuu (difficultà startup), è infine rimpiazzatu cù u listessu tipu di uriginale per risolve u prublema.
Dannu rilevatu à u MOSFET high-puterenza, rimpiazzamentu di i so cumpunenti perifèricu di u circuitu di perfusion deve dinù esse rimpiazzatu, perchè u dannu à u MOSFET pò dinù esse cumpunenti circuit perfusione poviru causatu da i danni à u MOSFET. Ancu s'è u MOSFET stessu hè dannatu, u mumentu chì u MOSFET si rompe, i cumpunenti di u circuitu di perfusione sò ancu dannuti è deve esse rimpiazzati.
Cum'è avemu assai maestru di riparazione intelligente in a riparazione di l'alimentazione di commutazione A3; finu à chì u tubu switching hè trovu à rumpiri, hè dinù u fronte di u tubu excitation 2SC3807 nsemi a sustituzione di u listessu mutivu (ancu s'è u tubu 2SC3807, misurata cù un multimeter hè bonu).
Tempu di post: Apr-15-2024
