Principiu di funziunamentu di u modu di rinforzamentu N-channel MOSFET

(1) L'effettu di cuntrollu di vGS nantu à ID è canale

① Casu di vGS = 0

Si pò vede chì ci sò dui junctions PN back-to-back trà u drain d è a fonte s di u modu di rinfurzà.MOSFET.

Quandu a tensione di a porta-surghjente vGS = 0, ancu s'è a tensione di drain-source vDS hè aghjuntu, è indipendentemente da a polarità di vDS, ci hè sempre una junction PN in u statu biased inversu.Ùn ci hè micca un canale conduttivu trà u drenu è a surgente, cusì u currente di drenu ID≈0 in questu mumentu.

② U casu di vGS> 0

Se vGS> 0, un campu elettricu hè generatu in a capa insulating SiO2 trà a porta è u sustrato.A direzzione di u campu elettricu hè perpendiculare à u campu elettricu direttu da a porta à u sustrato nantu à a superficia di semiconductor.Stu campu elettricu repelle i buchi è attrae l'elettroni.Repelling holes: I buchi in u sustrato di tipu P vicinu à a porta sò respinti, lascendu ioni accettatori immubiliarii (ioni negativi) per furmà una capa di depletion.Attrae l'elettroni: L'elettroni (portatori minoritari) in u sustrato di tipu P sò attratti da a superficia di u sustrato.

(2) Formazione di canali cunduttivi:

Quandu u valore di vGS hè chjuca è a capacità di attruisce l'elettroni ùn hè micca forte, ùn ci hè ancu un canale conductivu trà u drenu è a fonte.Quandu vGS aumenta, più elettroni sò attratti à a capa superficiale di u sustrato P.Quandu vGS righjunghji un certu valore, questi elettroni formanu una capa fina di N-tipu nantu à a superficia di u sustrato P vicinu à a porta è sò cunnessi à e duie regioni N +, furmendu un canale conduttivu N-tipu trà u drain è a fonte.U so tipu di conductività hè oppostu à quellu di u sustrato P, per quessa hè ancu chjamatu una capa d'inversione.U vGS più grande hè, u più forte u campu elettricu chì agisce nantu à a superficia di u semiconduttore hè, più elettroni sò attratti da a superficia di u sustrato P, u più grossu u canale cunduttivu hè, è più chjuca hè a resistenza di u canali.A tensione di a porta-surghjente quandu u canali principia à furmà hè chjamatu voltage turn-on, rapprisintatu da VT.