Metudu di pruduzzione di circuitu di guida MOSFET d'alta putenza

Ci sò dui suluzioni principali:

Unu hè di utilizà un chip driver dedicatu per guidà u MOSFET, o l'usu di photocouplers veloci, i transistori custituiscenu un circuitu per guidà u MOSFET, ma u primu tipu d'approcciu richiede a pruvista di una fonte d'energia indipendente; l'altru tipu di trasformatore di impulsu per guidà u MOSFET, è in u circuitu di impulsu di impulsu, cumu per migliurà a freccia di commutazione di u circuitu di impulsu per aumentà a capacità di guida, in quantu pussibule, per riduce u numeru di cumpunenti, hè a necessità urgente. per risolve uPrublemi attuali.

U primu tipu di schema drive, half-ponte abbisogna dui suministru indipendente; full-ponte abbisogna trè alimentazione indipendente, tramindui half-ponte è full-ponte, troppu cumpunenti, micca favurevuli à riduzzione di costu.

U sicondu tipu di prugramma di guida, è a patente hè l'arti prima più vicinu per u nome d'invenzione "un altu putereMOSFET drive circuit "brevetto (applicazioni numeru 200720309534. 8), u brevettu solu aghjunghje una resistenza di scaricamentu per liberà a fonte di porta di carica MOSFET d'alta putenza, per ottene u scopu di chjude, u filu di caduta di u signale PWM hè grande. caduta di u segnu PWM hè grande, chì hà da purtà à lentu shutdown di u MOSFET, perdita di putenza hè assai grande;

Inoltre, u travagliu di u prugramma di patente MOSFET hè suscettibile à l'interferenza, è u chip di cuntrollu PWM deve avè una grande putenza di output, facendu chì a temperatura di u chip hè alta, affettendu a vita di serviziu di u chip. Cuntinutu di l'invenzione U scopu di stu mudellu di utilità hè di furnisce un circuitu di guida MOSFET d'alta putenza, travaglià più stabile è cero per ghjunghje à u scopu di stu mudellu di utilità invenzione suluzione tecnica - un circuitu MOSFET d'alta putenza, l'output signale di u chip di cuntrollu PWM hè cunnessu à u transformatore di impulsu primariu, u prima uscita of u transformatore di impulsu secundariu hè cunnessu à a prima porta MOSFET, a seconda uscita di u trasformatore di impulsu secundariu hè cunnessu à a prima porta MOSFET, a seconda uscita di u trasformatore di impulsu secundariu hè cunnessu à a prima porta MOSFET. A prima uscita di u secundariu di u trasformatore di impulsi hè cunnessu à a porta di u primu MOSFET, a seconda uscita di u secundariu di u trasformatore di impulsi hè cunnessu à a porta di u sicondu MOSFET, carattarizatu da chì a prima uscita di u secundariu di u transformatore di impulsi hè ancu cunnessu. à u primu transistor di scaricamentu, è a seconda uscita di u transformatore di impulsu secundariu hè ancu cunnessu à u sicondu transistor di scaricamentu. U latu primariu di u trasformatore di impulsi hè ancu cunnessu à un circuitu di almacenamiento è di liberazione di energia.

U circuitu di liberazione di l'almacenamiento d'energia include una resistenza, un condensatore è un diodu, a resistenza è u condensatore sò cunnessi in parallelu, è u circuitu parallelu citatu hè cunnessu in serie cù u diodu. U mudellu di utilità hà un effettu beneficu U mudellu di utilità hà ancu un primu transistor di scaricamentu cunnessu à a prima uscita di u transformatore secundariu, è un secondu transistor di scaricamentu cunnessu à a seconda uscita di u trasformatore di impulsi, cusì chì quandu u transformatore di impulsi produce un bassu. Livellu, u primu MOSFET è u sicondu MOSFET ponu esse scaricati rapidamente per migliurà a velocità di spegnimentu di u MOSFET, è per riduce a perdita di MOSFET. U signale di u chip di cuntrollu PWM. hè culligatu à u MOSFET di amplificazione di signali trà a pruduzzioni primariu è u primariu di u transformatore di impulsu, chì pò esse usatu per l'amplificazione di u segnu. L'output di signale di u chip di cuntrollu PWM è u transformatore di impulsu primariu sò cunnessi à un MOSFET per l'amplificazione di u signale, chì pò ancu migliurà a capacità di guida di u signale PWM.

U transformatore di impulsu primariu hè ancu cunnessu à un circuitu di liberazione di l'almacenamiento d'energia, quandu u signale PWM hè à un livellu bassu, u circuitu di liberazione di l'energia libera l'energia almacenata in u trasformatore di impulsi quandu u PWM hè à un livellu altu, assicurendu chì a porta. fonte di u primu MOSFET è u sicondu MOSFET hè estremamente bassu, chì ghjoca un rolu in a prevenzione di l'interferenza.

In una implementazione specifica, un MOSFET Q1 di bassa putenza per l'amplificazione di u signale hè cunnessu trà u terminal di output di signale A di u chip di cuntrollu PWM è u primariu di u trasformatore di impulsu Tl, u primu terminal di output di u secundariu di u trasformatore di impulsu hè cunnessu à a porta di u primu MOSFET Q4 via u diode D1 è a resistenza di guida Rl, a seconda terminale di output di u secundariu di u transformatore di impulsi hè cunnessu à a porta di u secondu MOSFET Q5 via u diode D2 è a resistenza di guida R2, è u primu terminal di output di u sicundariu di u transformatore di impulsu hè ancu cunnessu cù u primu triode drain Q2, è u sicondu triode drain Q3 hè ancu cunnessu à u sicondu triode drain Q3. MOSFET Q5, u primu terminale di output di u transformatore di impulsu secundariu hè ancu cunnessu à un primu transistor di drenu Q2, è a seconda terminale di output di u secundariu di u transformatore di impulsi hè ancu cunnessu à un secondu transistor di drain Q3.

A porta di u primu MOSFET Q4 hè cunnessu à una resistenza di drenu R3, è a porta di u sicondu MOSFET Q5 hè cunnessu à una resistenza di drenu R4. u primariu di u trasformatore di impulsi Tl hè ancu cunnessu à un circuitu di almacenamentu è di liberazione di energia, è u circuitu di almacenamentu è di liberazione di energia include una resistenza R5, un condensatore Cl è un diode D3, è a resistenza R5 è u condensatore Cl sò cunnessi in parallelu, è u circuitu parallelu sopra citatu hè cunnessu in serie cù u diodu D3. l'output di signale PWM da u chip di cuntrollu PWM hè cunnessu à u MOSFET Q2 di bassa putenza, è u MOSFET Q2 di bassa putenza hè cunnessu à u secundariu di u transformatore di impulsi. hè amplificatu da u MOSFET di bassa putenza Ql è uscita à u primariu di u trasformatore di impulsu Tl. Quandu u signale PWM hè altu, u primu terminale di output è a seconda terminal di output di u secundariu di u transformatore di impulsu Tl output signali di altu livellu per guidà u primu MOSFET Q4 è u sicondu MOSFET Q5 per cunduce.

Quandu u signale PWM hè bassu, a prima uscita è a seconda uscita di u trasformatore di impulsi Tl segnali di uscita secundaria di livellu bassu, u primu transistor drain Q2 è u sicondu transistor drain Q3 conduction, a prima capacità di fonte MOSFETQ4 porta à traversu a resistenza di drain R3, u primu transistor di drenu Q2 per a scarica, a seconda capacità di fonte di porta MOSFETQ5 attraversu a resistenza di drenu R4, u sicondu drain transistor Q3 per scaricamentu, a seconda capacità di fonte di porta MOSFETQ5 à traversu a resistenza di drenu R4, u sicondu transistor di drenu Q3 per scaricamentu, a seconda capacità di fonte di porta MOSFETQ5 à traversu a resistenza di drain R4, u sicondu transistor di drain Q3 per scaricamentu. A seconda capacità di a fonte MOSFETQ5 hè scaricata à traversu a resistenza di drenu R4 è u sicondu transistor di drenu Q3, cusì chì u primu MOSFET Q4 è u sicondu MOSFET Q5 ponu esse spenti più veloce è a perdita di putenza pò esse ridutta.

Quandu u signale PWM hè bassu, u circuitu di liberazione di energia almacenata cumpostu da a resistenza R5, u condensatore Cl è u diodu D3 libera l'energia almacenata in u trasformatore di impulsu quandu u PWM hè altu, assicurendu chì a fonte di a porta di u primu MOSFET Q4 è u sicondu MOSFET. Q5 hè estremamente bassu, chì serve à u scopu di anti-interferenza. Diode Dl è diode D2 cunducenu a corrente di output in unidirezzione, assicurendu cusì a qualità di a forma d'onda PWM, è à u stessu tempu, ghjoca ancu u rolu di anti-interferenza in una certa misura.