Capisce a struttura di Power MOSFET

I MOSFET di potenza sò cumpunenti cruciali in l'elettronica di putenza muderna, cuncepitu per trattà alti voltages è currenti. Esploremu e so caratteristiche strutturali uniche chì permettenu capacità di gestione di l'energia efficiente.

Panoramica di a struttura di basa

Fonte Metal ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Fonte ════╝ ╚════ p+ p Corpo │ D │ n-│ Regione │ ════════════════ n+ Substrato ║ ╨ Drain Metal

Vista in sezione trasversale di un MOSFET Power tipicu

Struttura Verticale

A cuntrariu di i MOSFET regulari, i MOSFET di putenza impieganu una struttura verticale induve u currente scorri da a cima (fonte) à u fondu (drain), maximizendu a capacità di gestione attuale.

Regione di Drift

Contene una regione n-ligeramente dopata chì sustene una alta tensione di bloccu è gestisce a distribuzione di u campu elettricu.

Cumpunenti strutturali chjave

Fonte di metallu:Stratu di metallu superiore per a cullezzione è a distribuzione attuale
n+ Regioni fonte:Regioni fortemente drogate per l'iniezione di trasportatore
p-Corpi Regione:Crea u canali per u flussu attuale
n- Regione di Drift :Supporta a capacità di bloccu di tensione
n+ Substratu:Fornisce una strada di bassa resistenza à u drenu
Drain Metal:Cuntattu di metallu fondu per u flussu di corrente