Capisce u principiu di funziunamentu di MOSFET è applicà cumpunenti elettroni in modu più efficace

Capisce i principii operativi di i MOSFET (Transistori à Effettu di Campu di Metal-Oxide-Semiconductor) hè cruciale per utilizà in modu efficace questi cumpunenti elettronichi d'alta efficienza. I MOSFET sò elementi indispensabili in i dispositi elettronichi, è capiscenu hè essenziale per i pruduttori.

In pratica, ci sò pruduttori chì ùn puderanu micca apprezzà cumplettamente e funzioni specifiche di i MOSFET durante a so applicazione. Tuttavia, captendu i principii di travagliu di i MOSFET in i dispositi elettronichi è i so roli currispondenti, si pò selezziunà strategicamente u MOSFET più adattatu, tenendu in contu e so caratteristiche uniche è e caratteristiche specifiche di u pruduttu. Stu metudu aumenta u rendiment di u pruduttu, rinfurzendu a so cumpetitività in u mercatu.

WINSOK SOT-23-3 pacchettu MOSFET

Principi di travagliu MOSFET

Quandu a tensione di porta-surghjente (VGS) di u MOSFET hè cero, ancu cù l'applicazione di una tensione di drain-source (VDS), ci hè sempre una junction PN in bias inversa, chì resulta in nisun canale conductivu (è senza corrente) trà u drenu è a fonte di u MOSFET. In questu statu, a corrente di drenu (ID) di u MOSFET hè zero. L'applicazione di una tensione positiva trà a porta è a fonte (VGS> 0) crea un campu elettricu in u stratu insulating SiO2 trà a porta di u MOSFET è u sustrato di siliciu, direttu da a porta versu u sustrato di siliciu di tipu P. Dapoi chì a capa d'ossidu hè insulante, a tensione applicata à a porta, VGS, ùn pò micca generà un currente in u MOSFET. Invece, si forma un condensatore à traversu a capa d'ossidu.

Quandu u VGS aumenta gradualmente, u condensatore si carica, creendu un campu elettricu. Attratu da a tensione pusitiva à a porta, numerosi elettroni s'acumulanu da l'altra parte di u condensatore, furmendu un canale conduttivu N-tipu da u drain à a fonte in u MOSFET. Quandu VGS supera a tensione di soglia VT (tipicamenti intornu à 2V), u canali N di u MOSFET conduce, inizendu u flussu di corrente di drain ID. A tensione di a porta-surghjente à quale u canali principia à furmà hè chjamata tensione di soglia VT. Per cuntrullà a magnitudine di VGS, è in cunseguenza u campu elettricu, a dimensione di l'ID di corrente di drain in u MOSFET pò esse modulata.

WINSOK DFN5x6-8 pacchettu MOSFET

Applicazioni MOSFET

U MOSFET hè rinumatu per e so eccellenti caratteristiche di commutazione, chì portanu à a so larga applicazione in i circuiti chì necessitanu interruttori elettronichi, cum'è l'alimentazione in modalità switch. In l'applicazioni di bassa tensione chì utilizanu un alimentatore di 5V, l'usu di strutture tradiziunali risulta in una caduta di tensione in u trasistore di basa di un transistor di giunzione bipolari (circa 0.7V), lascendu solu 4.3V per a tensione finale applicata à a porta di u MOSFET. In tali scenarii, optendu per un MOSFET cù una tensione nominale di porta di 4.5V introduce certi risichi. Questa sfida si manifesta ancu in l'applicazioni chì implicanu 3V o altre alimentazione di bassa tensione.