Cosa hè un MOSFET? Chì sò i paràmetri principali?

Quandu si cuncepisce una alimentazione di commutazione o un circuitu di mutore di mutore utilizenduMOSFET, Fattori cum'è a resistenza, a tensione massima è a corrente massima di u MOS sò generalmente cunsiderate.

I tubi MOSFET sò un tipu di FET chì pò esse fabbricatu cum'è un tipu di rinfurzà o di depletion, P-channel o N-channel per un totale di 4 tipi. NMOSFET di rinfurzà è PMOSFET di rinfurzà sò generalmente usati, è questi dui sò generalmente citati.

Questi dui sò più cumunimenti usati hè NMOS. u mutivu hè chì a resistenza conductive hè chjuca è faciule di fabricazione. Dunque, NMOS hè generalmente utilizatu in l'applicazioni di l'alimentazione di l'alimentazione è di u mutore.

Dentru u MOSFET, un tiristore hè situatu trà u drenu è a surgente, chì hè assai impurtante in guidà carichi induttivi cum'è i mutori, è hè solu presente in un MOSFET unicu, micca di solitu in un chip di circuit integratu.

A capacità parasitica esiste trà i trè pin di u MOSFET, micca chì avemu bisognu, ma per via di limitazioni di u prucessu di fabricazione. A prisenza di capacità parassita rende più ingombrante quandu cuncepisce o selezziunate un circuitu di driver, ma ùn pò esse evitata.

I paràmetri principali diMOSFET

1, tensione aperta VT

Tensione aperta (cunnisciutu ancu com'è a tensione di u sogliu): cusì chì a tensione di a porta necessaria per cumincià à furmà un canali cunduttivi trà a fonte S è u drain D; standard N-channel MOSFET, VT hè circa 3 ~ 6V; à traversu migliurà prucessu, u valore MOSFET VT pò esse ridutta à 2 ~ 3V.

2, DC input resistenza RGS

U rapportu di a tensione aghjunta trà u polu di a fonte di a porta è u currente di a porta Questa caratteristica hè qualchì volta espressa da a corrente di a porta chì passa per a porta, u RGS di u MOSFET pò facilmente superà 1010Ω.

3. Drain surghjente breakdown voltage BVDS.

Sutta a cundizione di VGS = 0 (rinfurzata), in u prucessu di aumentà a tensione di drenu-surghjente, ID aumenta bruscamente quandu u VDS hè chjamatu u voltage di drain-source breakdown BVDS, ID aumenta bruscamente per dui motivi: (1) avalanche rupture di a strata di depletion vicinu à u drenu, (2) rupture di penetrazione trà u drenu è i poli di fonte, certi MOSFET, chì anu una trinchera più corta lunghizza, cresce u VDS cusì chì u drain layer in a regione drain hè allargata à a regione surghjente, facennu la lunghezza Channel hè zero, chì hè, à pruduce una penetrazione drain-surgente, penetrazione, a maiò parte di i traspurtadore in a regione surghjente vi esse direttamente attrattu da u campu elettricu di a strata di depletion à a regione di drenu, risultatu in una grande ID.

4, porta surghjente breakdown voltage BVGS

Quandu a tensione di a porta hè aumentata, u VGS quandu l'IG hè aumentatu da zero hè chjamatu u voltage di rottura di a fonte di a porta BVGS.

5、Transconductance à bassa frequenza

Quandu VDS hè un valore fissu, u rapportu di a microvariazione di u currente di drenu à a microvariazione di a tensione di a fonte di a porta chì provoca u cambiamentu hè chjamata transconductance, chì riflette a capacità di a tensione di a fonte di a porta per cuntrullà u currente di drenu, è hè un parametru impurtante chì carattirizza a capacità di amplificazione di uMOSFET.

6, on-resistance RON

On-resistance RON mostra l'effettu di VDS nantu à ID, hè l'inversu di a pendenza di a linea tangente di e caratteristiche di drenu à un certu puntu, in a regione di saturazione, ID quasi ùn cambia micca cù u VDS, RON hè assai grande. valore, in generale in decine di kilo-Ohms à centinaie di kilo-Ohms, perchè in i circuiti digitale, i MOSFET spessu travaglianu in u statu di u VDS conductivu = 0, cusì à questu puntu, u RON di resistenza pò esse apprussimatu da l'urìgine di u RON per apprussimativu, per MOSFET generale, valore RON in uni pochi di centu ohms.

7, capacità inter-polar

A capacità interpolari esiste trà i trè elettrodi: a capacità di a fonte di porta CGS, a capacità di drenu di a porta CGD è a capacità di a fonte di drenu CDS-CGS è CGD hè di circa 1 ~ 3pF, CDS hè di circa 0,1 ~ 1pF.

8、Fattore di rumore à bassa frequenza

U rumore hè causatu da irregularità in u muvimentu di i trasportatori in u pipeline. A causa di a so prisenza, variazioni di tensione o currente irregulari si verificanu à l'output ancu s'ellu ùn ci hè micca signale furnitu da l'amplificatore. A prestazione di rumore hè generalmente espressa in termini di u fattore di rumore NF. L'unità hè decibel (dB). U più chjucu u valore, u menu rumore chì u tubu pruduce. U fattore di rumore di bassa frequenza hè u fattore di rumore misuratu in a gamma di bassa freccia. U fattore di rumore di un tubu à effettu di campu hè di circa uni pochi dB, menu di quellu di un triodu bipolari.