Cosa hè PMOSFET, sapete?

I. Struttura basica è principiu di travagliu

1. Struttura basica

I PMOSFET anu sustrati n-tipu è canali p, è a so struttura hè principalmente custituita da una porta (G), una fonte (S) è un drain (D). Nantu à u sustrato di siliciu n-tipu, ci sò duie regioni P + chì servenu cum'è fonte è drenu, rispettivamente, è sò cunnessi l'una cù l'altru attraversu u p-canale. A porta hè situata sopra u canali è hè isolata da u canali da una capa insulante d'ossidu di metallu.

2. Principi di funziunamentu

I PMOSFET operanu in modu simile à i NMOSFET, ma cù u tipu oppostu di trasportatori. In un PMOSFET, i trasportatori principali sò i buchi. Quandu una tensione negativa hè appiicata à a porta in quantu à a fonte, una capa inversa p-tipu hè furmatu nantu à a superficia di u siliciu n-tipu sottu à a porta, chì serve cum'è una trinchera chì cunnetta a fonte è u drain. U cambiamentu di a tensione di a porta cambia a densità di i buchi in u canali, cuntrullendu cusì a conduttività di u canali. Quandu a tensione di a porta hè abbastanza bassa, a densità di i buchi in u canali righjunghji un livellu abbastanza altu per permette a cunduzzione trà a surgente è u drain; à u cuntrariu, u canali cut off.

II. Caratteristiche è appiicazioni

1. Caratteristiche

Mobilità bassa: i transistori MOS di u canali P anu una mobilità di buchi relativamente bassu, cusì a transconductance di transistors PMOS hè più chjuca di quella di transistors NMOS sottu a stessa geometria è tensione di operazione.

Adatta per l'applicazioni à bassa velocità è bassa frequenza: A causa di a mobilità più bassa, i circuiti integrati PMOS sò più adattati per l'applicazioni in e zone di bassa velocità è bassa frequenza.

Cundizioni di cunduzzione: I cundizioni di cunduzzione di PMOSFET sò opposti à NMOSFET, chì necessitanu una tensione di porta più bassa di a tensione di fonte.

1. Applicazioni

High Side Switching: I PMOSFET sò tipicamente usati in cunfigurazioni di commutazione laterale alta induve a fonte hè cunnessa à l'alimentazione positiva è u drain hè cunnessu à l'estremità pusitiva di a carica. Quandu u PMOSFET conduce, cunnetta l'estremità pusitiva di a carica à l'offerta pusitiva, chì permette a corrente di flussu attraversu a carica. Sta cunfigurazione hè assai cumuna in spazii cum'è a gestione di l'energia è i motori.

Circuiti di prutezzione inversa: PMOSFET ponu ancu esse aduprati in circuiti di prutezzione inversa per prevene i danni à u circuitu causatu da l'alimentazione inversa o un flussu di corrente di carica.

III. Disegnu è cunsiderazioni

1. GATE VOLTAGE CONTROL

Quandu cuncepimentu di circuiti PMOSFET, un cuntrollu precisu di a tensione di a porta hè necessariu per assicurà un funziunamentu propiu. Siccomu e cundizioni di cunduzzione di PMOSFET sò opposti à quelli di NMOSFET, l'attenzione deve esse pagata à a polarità è a magnitudine di a tensione di a porta.

2. Cunnizzione di carica

Quandu si cunnessu a carica, l'attenzione deve esse pagata à a polarità di a carica per assicurà chì u currente scorri currettamente attraversu u PMOSFET, è l'effettu di a carica nantu à u rendiment di u PMOSFET, cum'è a caduta di tensione, u cunsumu di energia, etc. , ancu deve esse cunsideratu.

3. Stabilità di temperatura

U funziunamentu di PMOSFET hè assai affettatu da a temperatura, cusì l'effettu di a temperatura nantu à u funziunamentu di PMOSFET deve esse cunsideratu quandu u disignu di circuiti, è e misure currispundenti deve esse pigliatu per migliurà a stabilità di a temperatura di i circuiti.

4. Circuiti di prutezzione

Per prevene i PMOSFET da esse dannighjati da a sovracorrente è a sovratensione durante u funziunamentu, i circuiti di prutezzione cum'è a prutezzione di sovracorrente è a prutezzione di sovratensione deve esse installatu in u circuitu. Questi circuiti di prutezzione ponu prutege efficacemente u PMOSFET è allargà a so vita di serviziu.

In sintesi, PMOSFET hè un tipu di MOSFET cù struttura speciale è principiu di travagliu. A so bassa mobilità è l'adattabilità per l'applicazioni à bassa velocità è bassa frequenza facenu largamente applicabile in campi specifichi. Quandu cuncepimentu di circuiti PMOSFET, l'attenzione deve esse pagata à u cuntrollu di a tensione di a porta, a cunnessione di carica, a stabilità di a temperatura è i circuiti di prutezzione per assicurà un funziunamentu propiu è affidabilità di u circuitu.