Chì ghjè a diffarenza trà MOSFET è IGBT? Olukey risponde à e vostre dumande!

Cum'è elementi di commutazione, MOSFET è IGBT sò spessu apparsu in i circuiti elettronichi. Sò ancu simili in l'apparenza è i paràmetri caratteristiche. Credu chì parechje persone si dumandanu perchè certi circuiti anu bisognu di utilizà MOSFET, mentri àutri facenu. IGBT?

Chì ci hè a diffarenza trà elli? Dopu,Olukeyrisponderà à e vostre dumande!

Cosa hè aMOSFET?

MOSFET, u nome chinu cumpletu hè transistor à effettu di campu di semiconductor d'ossidu di metallu. Perchè a porta di stu transistor à effettu di campu hè isolata da una capa insulante, hè ancu chjamata transistor à effettu di campu insulated. MOSFET pò esse divisu in dui tipi: "N-type" è "P-type" secondu a polarità di u so "canale" (travagliatore di travagliu), di solitu ancu chjamatu N MOSFET è P MOSFET.

U MOSFET stessu hà u so propiu diodu parasiticu, chì hè utilizatu per impedisce chì u MOSFET si brusgià quandu VDD hè sopra-voltage. Perchè prima chì l'overvoltage pruvucarà danni à u MOSFET, u diodu si rompe prima è dirige u grande currente à a terra, impediscendu cusì chì u MOSFET sia brusgiatu.

Schema di principiu di funziunamentu MOSFET

Cosa hè IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) hè un dispositivu semiconductor cumpostu di un transistor è un MOSFET.

I simboli di circuitu di IGBT ùn sò micca unificati ancu. Quandu disegnu u schema schematicu, i simboli di triode è MOSFET sò generalmente prestiti. À questu tempu, pudete ghjudicà s'ellu hè IGBT o MOSFET da u mudellu marcatu nantu à u schema schematicu.

À u listessu tempu, duvete ancu attentu à se l'IGBT hà un diodu di corpu. Se ùn hè micca marcatu nantu à a stampa, ùn significa micca chì ùn esiste micca. A menu chì i dati ufficiali dicenu specificamente altrimenti, stu diodu hè presente. U diodu di u corpu in l'IGBT ùn hè micca parassitariu, ma hè stallatu apposta per pruteggià a tensione di resistenza inversa fragile di l'IGBT. Hè ancu chjamatu FWD (diode freewheeling).

A struttura interna di i dui hè differente

I trè poli di MOSFET sò fonte (S), drain (D) è porta (G).

I trè poli di l'IGBT sò u cullettore (C), l'emettitore (E) è a porta (G).

Un IGBT hè custruitu aghjunghjendu una capa addiziale à u drenu di un MOSFET. A so struttura interna hè a seguente:

I campi d'applicazione di i dui sò diffirenti

E strutture interne di MOSFET è IGBT sò diffirenti, chì determina i so campi d'applicazione.

Duvuta à a struttura di MOSFET, si pò di solitu ghjunghje sin'à un grande currenti, chì pò ghjunghje sin'à KA, ma u prerequisite voltage resistenza capacità ùn hè micca forte cum'è IGBT. I so principali campi di applicazione sò l'alimentazione di commutazione, i ballasts, u riscaldamentu à induzione d'alta frequenza, i saldatori inverter à alta frequenza, l'alimentazione di cumunicazione è altri campi di alimentazione d'alta frequenza.

IGBT pò pruduce assai putenza, currente è voltage, ma a freccia ùn hè micca troppu alta. Attualmente, a velocità di cunversione dura di IGBT pò ghjunghje à 100KHZ. IGBT hè largamente utilizatu in saldatrici, inverter, convertitori di frequenza, alimentazione elettrolitica elettrolitica, riscaldamentu à induzione ultrasonica è altri campi.

Caratteristiche principali di MOSFET è IGBT

MOSFET hà e caratteristiche di alta impedenza di input, rapidità di cambiamentu veloce, bona stabilità termale, currente di cuntrollu di tensione, etc. In u circuitu, pò esse usatu cum'è amplificatore, switch elettronicu è altri scopi.

Cum'è un novu tipu di dispositivu semiconductor elettronicu, IGBT hà e caratteristiche di alta impedenza d'ingressu, cunsumu d'energia di cuntrollu di bassa tensione, circuitu di cuntrollu simplice, resistenza d'alta tensione è grande toleranza di corrente, è hè stata largamente utilizata in diversi circuiti elettronici.

U circuitu equivalente ideale di IGBT hè mostratu in a figura sottu. IGBT hè in realtà una cumminazione di MOSFET è transistor. MOSFET hà u svantaghju di una alta resistenza, ma IGBT supera stu difettu. IGBT hà sempre una bassa resistenza à alta tensione. .

In generale, u vantaghju di MOSFET hè chì hà boni caratteristiche d'alta freccia è pò operà à una frequenza di centinaie di kHz è finu à MHz. U svantaghju hè chì a resistenza hè grande è u cunsumu di energia hè grande in situazioni d'alta tensione è di corrente alta. IGBT funziona bè in situazioni di bassa frequenza è alta putenza, cù una piccula resistenza è una tensione di resistenza alta.

Sceglite MOSFET o IGBT

In u circuitu, sia di sceglie MOSFET cum'è u tubu di l'interruttore di putenza o IGBT hè una quistione chì l'ingegneri spessu scontranu. Se fattori cum'è a tensione, u currente è a putenza di commutazione di u sistema sò cunsiderate, i seguenti punti ponu esse riassunti:

A ghjente dumanda à spessu: "Hè MOSFET o IGBT megliu?" In fatti, ùn ci hè nisuna differenza bona o mala trà i dui. A più impurtante hè di vede a so applicazione attuale.

Se avete sempre dumande nantu à a diffarenza trà MOSFET è IGBT, pudete cuntattà Olukey per i dettagli.

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